1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
马平 男 博导 半导体研究所
电子邮件：maping@semi.ac.cn
通信地址：北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：


研究领域
招生信息

招生专业 材料物理与化学



招生方向 蓝、绿光LED外延生长及器件研制，III族氮化物功率器件


教育背景 2002-03--2005-03 中国科学院福建物质结构研究所 博士


学历

学位
工作经历

工作简历 2011-03--今 中国科学院半导体研究所 研究员
2006-11--今 中国科学院半导体研究所 副研究员
2005-03--2006-11 中国科学院半导体研究所博士后


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果 （1） 高质量氮化镓基发光二极管，发明，2010，第1作者，专利号：**8.1
（2） 一种提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管，发明，2011，第1作者，专利号：**3.1
（3） 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法，发明，2011，第1作者，专利号：**3.3
（4） 一种氮化镓系发光二极管，实用新型，2010，第1作者，专利号：**3.4
（5） 一种氮化镓基发光二极管，发明，2010，第1作者，专利号：**0.1
（6） 采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法，发明，2010，第1作者，专利号：**5.0
（7） 一种GaN基发光二极管，发明，2009，第1作者，专利号：**0.0
（8） 氮化镓系发光二极管，发明，2010，第1作者，专利号：**1.9
（9） 一种白光发光二极管及其制作方法 ，发明，2013，第1作者，专利号：**4.6
（10） 具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法，发明，2013，第1作者，专利号：**7.8
（11） 一种折射率渐变的光子晶体发光二极管结构 ，发明，2013，第1作者，专利号：**3.0
（12） 一种利用光子晶体制作高效白光LED的新方法，发明，2014，第1作者，专利号：2014
（13） 一种GaN基倒装结构LED中SiC衬底增加导光片的方法，发明，2014，第2作者，专利号：2014

出版信息

发表论文 （1） J. Crystal Growth，2014，第2作者
（2） Appl. Phys. Lett.，2014，第2作者
（3） Appl. Phys. Lett.，2013，第3作者
（4） Appl. Phys. Lett.，2010，第1作者
（5） J. semiconductors，2007，第2作者
（6） Materials Letter，2007，第2作者
（7） J. Semiconductors，2007，第1作者
（8） Chinese Physics Letter，2007，第2作者
（9） Optical. Materials，2007，第1作者
（10） J. Semiconductors，2006，第1作者
（11） Materials Research and Innovations，2005，第1作者
（12） Materials Research and Innovations，2005，第1作者


发表著作
科研活动

科研项目 （1） 大功率GaN电子器件用尺寸SiC衬底制备及外延技术研究，主持，国家级，2014-01--2016-12
（2） SiC基高效LED外延与芯片技术研究，参与，院级级，2014-01--2015-12
（3） 提高垂直结构LED外量子效率的，主持，国家级，2012-01--2014-01
（4） 100lm/W白光LED量产技术开发，主持，国家级，2009-07--2011-12
（5） 大功率白光LED产业关键技术开发，主持，国家级，2008-07--2010-12
（6） 新型衬底GaN基材料的外延技术，参与，国家级，2006-10--2009-09


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生已指导学生

安铁雷 硕士研究生 430105-材料工程

甄爱功 硕士研究生 085208-电子与通信工程

现指导学生

吴冬雪 硕士研究生 080501-材料物理与化学

张烁 硕士研究生 080501-材料物理与化学

李喜林 硕士研究生 085208-电子与通信工程