基本信息
马文全 男 博导 半导体研究所
电子邮件：wqma@semi.ac.cn
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通信地址：北京市海淀区清华东路甲35号中科院半导体所
邮政编码：100083


研究领域半导体材料物理与器件物理

招生信息

招生专业 物理电子学
微电子学与固体电子学


招生方向 锑化物二类超晶格及量子点红外探测器
光电子材料与器件
锑化物激光器
教育背景 1998-03--2001-03 德国洪堡大学 博士
1994-09--1997-07 中科院半导体所 硕士
1986-09--1990-07 兰州大学 学士


学历博士

学位理学博士
出国学习工作
工作经历2001年4月-2004年10月：美国阿肯色大学博士后
2004年10月至今：中科院半导体所研究员

工作简历 2004-10--今 中科院半导体所 研究员
2001-05--2004-09 美国阿肯色大学 博士后


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果
出版信息

最近论文 （1） Impact of band structure of Ohmic contact layers on the response feature of p-i-n very long wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector，Appl. Phys. Lett.，2015，通讯作者
（2） Interface effect on structural and optical properties of typeII InAs/GaSb superlattices，J. Crystal Growth，2014，通讯作者
（3） Dark current mechanism of unpassivated mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice infrared photodetector，Chin. Sci. Bull.，2014，通讯作者
（4） 540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier，IEEE Electron Device Lett.，2013，通讯作者
（5） Electrical properties of the absorber layer for mid, long and very long wavelength detection using type-II InAs/GaSb superlattice structures grown by molecular beam epitaxy， Semicond. Sci. Technol. ，2013，通讯作者
（6） Narrow-band long-/very-long wavelength two-color type-II InAs/GaSb superlattice photodetector by changing the bias polarity，Appl. Phys. Lett.，2012，通讯作者
（7） Multilayered type-II GaSb/GaAs self-assembled quantum dot structure with 1.35μm light emission at room temperature，Physica E，2012，通讯作者
（8） Mid wavelength type II InAs/GaSb superlattice photodetector using SiOxNy passivation，Jpn. J. Appl. Phys.，2012，通讯作者
（9） How to use type II InAs/GaSb superlattice structure to reach detection wavelength of 2–3 μm，IEEE J. Quantum Electron.，2012，通讯作者
（10） High Structural Quality of Type II InAs/GaSb Superlattices for Very Long Wavelength Infrared Detection by Interface Control，IEEE J. Quantum Electron.，2012，通讯作者
（11） Forward bias voltage controlled infrared photodetection and electroluminescence from a p-i-n quantum dot structure，Appl. Phys. Lett.，2011，通讯作者
（12） Two-color In0.4Ga0.6As/Al0.1Ga0.9As quantum dot infrared photodetector with double tunnelling barriers，Appl. Phys. Lett.，2011，通讯作者
（13） Very long wavelength quantum dot infarerd photodetector using a modified dots-in-a-well structure with AlgaAs insertion layers，Appl. Phys. Lett.，2011，通讯作者
（14） Long wavelength infrared InAs/GaSb superlattice photodetectors with InSb-like and mixed interfaxes，IEEE J. Quantum Electron.，2011，通讯作者
（15） Quantum well infrared photodetector simultaneously working in two atomospheric windows，Appl. Phys. A，2010，通讯作者
（16） Resonantly driven coherent oscillations in a solid state quantum emitter，Nature Physics，2009，第5作者
（17） Direct evidence of interlevel exciton transitions mediated by single phonons in a semiconductor quantum dot using resonant fluorescence spectroscopy，Phys. Rev. Lett.，2009，第4作者
（18） Voltage tunable two-color InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector，Appli. Phys. Lett.，2008，第1作者
（19） Resonance fluorescence from a coherently driven semiconductor quantum dot in a cavity，Phys. Rev. Lett.，2007，第5作者


发表著作
科研活动

科研项目 （1） 量子点红外探测器材料及器件物理研究，主持，国家级，2015-01--2018-12
（2） InAs /GaSb 二类超晶格长波红外探测材料与器件研究，参与，国家级，2013-01--2017-12
（3） 高性能长波长 InAs/GaSb二类超晶格材料基础研究，主持，国家级，2012-01--2015-12
（4） 半导体异质兼容集成中的新型材料系探索与特殊超晶格结构，主持，国家级，2010-01--2014-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生已指导学生

刘小宇 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

张艳华 博士研究生 080901-物理电子学

黄建亮 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

卫炀 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

郭晓璐 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

崔凯 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

李琼 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

现指导学生

刘珂 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学

赵成城 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

黄文军 博士研究生 080901-物理电子学