1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
余学峰 男 硕导 中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件： yuxf@ms.xjb.ac.cn
通信地址： 乌鲁木齐北京南路40号附1号
邮政编码： 830011
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向微电子器件辐射物理

教育背景1982-09--1986-07 兰州大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2008-10~现在, 中科院新疆理化技术研究所, 研究员
1997-07~2008-09,中科院新疆理化技术研究所, 副研究员
1992-07~1997-07,中科院新疆物理研究所, 助理研究员
1986-07~1992-07,中科院新疆物理研究所, 研究实习员
1982-09~1986-07,兰州大学, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）MOS结构热载流子注入与总剂量辐照响应的相关性,省级,2007
（2）12、不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性,国家级,2005
（3）中华人民共和国国务院政府特殊津贴,院级,2000
（4）中国科学院优秀青年奖,院级,1999
（5）抗高电离辐射MOS新介质与损伤模拟分析技术的研究,部委级,1998
（6）中国青年科技奖,院级,1998
（7）抗辐射加固技术-元器件新结构新工艺研究,国家级,1992


专利成果
出版信息

发表论文（1） 3.Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiation, Chinese Physics B, 2014, 第 5 作者
（2） 4.Enhanced Total Ionizing Dose Hardness of Deep Sub-Micron Partially Depleted Silicon -on- Insulator n-Type Metal- Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors, CHIN.PHYS.LETT, 2014, 第 5 作者
（3） 7.Hot-carrier effects on irradiated deep submicron NMOSFET., Journal of Semiconductors, 2014, 第 5 作者
（4） 静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法, 物理学报, 2014, 第 5 作者
（5） 半导体器件总剂量辐射效应的热力学影响, 发光学报, 2014, 第 5 作者
（6） 总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究, 物理学报, 2013, 第 5 作者
（7） 不同规模SRAM辐射损伤效应的研究, 微电子学, 2013, 第 5 作者
（8） Degradation of the front and back channels in a deep submicron partially depleted SOI NMOSFET under off-state stress, Journal of Semiconductors,, 2013, 第 5 作者
（9） 1.Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs, Journal of Semiconductors, 2012, 第 5 作者
（10） 2.沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响, 物理学报, 2012, 第 5 作者
（11） 静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究, 物理学报, 2011, 第 5 作者
（12） PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型研究, 物理学报, 2011, 第 5 作者
（13） 星载DC- DC电源转换器总剂量辐射损伤效应研究, 原子能科学与技术, 2011, 第 5 作者
（14） Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET, Journal of Semiconductors, 2011, 第 5 作者
（15） Relationship between silicon-on-insulator kink and radiation effects, International Journal of Modern Physics E, 2011, 第 5 作者
（16） Research on the Total-dos e Irradiation Effects and Annealing Behavior for Domestic VDMOS Device, Journal of Semiconductors, 2010, 第 2 作者
（17） Altera SRAM 型FPGA器件总剂量辐射损伤及退火效应, 强激光与粒子束, 2010, 第 2 作者
（18） 国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应效应, 原子能科学技术, 2010, 第 2 作者
（19） 国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性, 原子能科学技术, 2010, 第 2 作者
（20） Altera SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究, 原子能科学与技术, 2009, 第 2 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）新型宇航器件总剂量辐射试验方法和评估技术研究, 主持, 部委级, 2011-01--2015-12
（ 2 ）半导体器件不同剂量率辐照试验, 主持, 部委级, 2010-01--2017-12
（ 3 ）新型器件试验方法和评估技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 4 ）SOI器件稳态试验方法研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 5 ）微纳器件在空间不同损伤效应联合作用下的可靠性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生