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基底温度对ITO薄膜红外发射特性的影响

北京航空航天大学 辅仁网/2017-07-06

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基底温度对ITO薄膜红外发射特性的影响
外文标题Effect of Different Substrate Temperatures on the Infrared Emissivity Properties of Indium Tin Oxide (ITO) Thin Films
文献类型期刊
作者胡亚兰[1];刁训刚[2];郝维昌[3];王聪[4];王金良[5];王天民[6]
机构
来源信息年:2004期:1页码范围:21-24
期刊信息红外ISSN:1672-8785
关键词ITO薄膜;基底温度;透过率;方块电阻;红外发射率
摘要本文采用射频磁控溅射法制备ITO薄膜,该薄膜具有较低的红外发射率.利用紫外-可见-近红外分光光度计、红外发射率测量仪、四探针测试仪研究了溅射过程中基底温度对ITO薄膜红外特性和光电性能的影响,并且用AFM对ITO薄膜的表面形貌进行了表征.实验发现,随着基底温度的升高,薄膜的表面颗粒增大,透过率、方块电阻、平均红外发射率均会降低.本文还讨论了8μm~14μm波段平均红外发射率与方块电阻之间的关系.
所属部门材料科学与工程学院
链接地址http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_hongw200401005.aspx
DOI10.3969/j.issn.1672-8785.2004.01.005
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dc:title:基底温度对ITO薄膜红外发射特性的影响
dc:creator:胡亚兰;刁训刚;郝维昌,等
dc:date: publishDate:2004-01-10
dc:type:期刊
dc:format: Media:红外
dc:identifier: LnterrelatedLiterature:红外.2004,21-24.
dc:identifier:DOI:10.3969/j.issn.1672-8785.2004.01.005
dc: identifier:ISBN:1672-8785
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