文献详情


掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长

外文标题	Preferred growth of nanosized crystal silicon in doped hydrogenated nanocrystalline silicon film
文献类型	期刊
作者	韦文生[1];王天民[2];张春熹[3];李国华[4]
机构	[1]北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学宇航学院,中国科学院半导体研究所 北京100083,北京100083,北京100083,北京100080 [2]北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学宇航学院,中国科学院半导体研究所 北京100083,北京100083,北京100083,北京100080 [3]北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学宇航学院,中国科学院半导体研究所 北京100083,北京100083,北京100083,北京100080 [4]北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学理学院,北京航空航天大学宇航学院,中国科学院半导体研究所 北京100083,北京100083,北京100083,北京100080 ↓
来源信息	年:2003卷:29期:9页码范围:753-758
期刊信息	北京航空航天大学学报ISSN:1001-5965
关键词	掺杂;电场;温度;择优生长;nc-Si:H薄膜;纳米硅晶粒
摘要	发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜中纳米硅晶粒(nc-Si)有择优生长的趋势.用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现:掺磷的nc-Si:H薄膜XRD 峰位的二倍衍射角约为33°.掺硼nc-Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为47°.用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到:较高的衬底温度引起序参量改变,使掺磷nc-Si:H薄膜中nc-Si的晶面择优生长.适当的电场作用引起序参量改变,导致掺硼nc-Si:H薄膜在一定的自由能密度范围内nc-Si的晶面择优生长.
收录情况	PKUISTICCSCD
所属部门	宇航学院
链接地址	http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bjhkhtdxxb200309001.aspx
DOI	10.3969/j.issn.1001-5965.2003.09.001
人气指数	7
浏览次数	7
基金	国家高技术研究发展计划(863计划); 高等学校博士学科点专项科研项目

全文|
影响因子：


暂无成果共有人
dc:title:掺杂nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
dc:creator:韦文生;王天民;张春熹,等
dc:date: publishDate:2003-10-30
dc:type:期刊
dc:format: Media：北京航空航天大学学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：北京航空航天大学学报.2003,29(9),753-758.
dc:identifier:DOI：10.3969/j.issn.1001-5965.2003.09.001
dc: identifier:ISBN:1001-5965