掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
| 外文标题 | Preferred growth of nanocrystalline silicon in boron- doped hydrogenated nanocrystalline silicon films |
| 文献类型 | 期刊 |
| 作者 | 韦文生[1];王天民[2];张春熹[3];李国华[4];韩和相[5];丁琨[6] |
| 机构 | [1]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室 北京100083,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 [2]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室 北京100083,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 [3]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室 北京100083,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 [4]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室 北京100083,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 [5]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室 北京100083,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 [6]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体超晶格与微结构国家重点实验室 北京100083,北京航空航天大学宇航学院光电技术研究所,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 ↓ |
| 来源信息 | 年:2003卷:9期:1页码范围:25-30 |
| 期刊信息 | 功能材料与器件学报ISSN:1007-4252 |
| 关键词 | nc-Si:H薄膜;掺硼;纳米硅晶粒;择优生长;电场 |
| 摘要 | 利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 nc- Si)有择优生长的趋势.用 HRTEM、 XRD、 Raman等方 法研究掺硼 nc- Si:H薄膜的微观结构时发现: 掺硼 nc- Si:H薄膜的 XRD只有一个峰, 峰位在 2θ≈ 47o,晶面指数为( 220),属于金刚石结构.用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析掺 硼 nc- Si:H薄膜择优生长的原因是:适当的电场作用引起序参量改变,导致薄膜在适当的自由能 范围内 nc- Si的晶面择优生长.随着掺硼浓度的增加, nc- Si:H薄膜的晶态率降低并逐步非晶化. nc- Si随硅烷的稀释比增加而长大,但晶态率降低. nc- Si随衬底温度升高而长大,晶态率提高. nc- Si随射频功率密度的增大而长大,晶态率增大的趋势平缓.但未发现掺硼浓度、稀释比、衬底 温度、射频功率密度的变化引起薄膜中 nc- Si晶面的择优生长. |
| 收录情况 | ISTIC |
| 所属部门 | 材料科学与工程学院 |
| 链接地址 | http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_gnclyqjxb200301006.aspx |
| DOI | 10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.006 |
| 基金 | 国家自然科学基金; 国家高校博士科研项目 |
全文
影响因子：
dc:title:掺硼nc-Si:H薄膜中纳米硅晶粒的择优生长
dc:creator:韦文生;王天民;张春熹,等
dc:date: publishDate:2003-03-30
dc:type:期刊
dc:format: Media：功能材料与器件学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：功能材料与器件学报.2003,9(1),25-30.
dc:identifier:DOI：10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.006
dc: identifier:ISBN:1007-4252
