正磁致伸缩铁磁材料磁记忆现象的理论探讨
外文标题 | The Theoretical Discussion on Magnetic Memory Phenomenon about Positive Magnetostriction Ferromagnetism Materials |
文献类型 | 期刊 |
作者 | 周俊华[1];雷银照[2] |
机构 | [1]郑州大学电气工程学院,北京航空航天大学电气工程系 河南郑州450002,北京100083 [2]郑州大学电气工程学院,北京航空航天大学电气工程系 河南郑州450002,北京100083 ↓ |
来源信息 | 年:2003卷:24期:3页码范围:101-105 |
期刊信息 | 郑州大学学报(工学版)ISSN:1671-6833 |
关键词 | 分子场;应力集中;铁磁材料;磁记忆检测 |
摘要 | 针对金属磁记忆无损检测原理,基于铁磁性的唯像理论,利用一个近似的分子场,得到了地磁场中受应力作用的铁磁杆件的有效场表达式;利用能量最小原理,得到了分子场参数表达式;根据所得的有效场表达式,解释了磁致伸缩为正的铁磁材料在应力集中处漏磁场切向分量出现最大值、同时法向分量为零值的现象,并进行了仿真计算. |
所属部门 | 自动化科学与电气工程学院 |
链接地址 | http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_zzgydxxb200303026.aspx |
DOI | 10.3969/j.issn.1671-6833.2003.03.026 |
基金 | 国家自然科学基金 |
全文
影响因子:
电气工程
dc:title:正磁致伸缩铁磁材料磁记忆现象的理论探讨
dc:creator:周俊华;雷银照
dc:date: publishDate:2003-09-30
dc:type:期刊
dc:format: Media:郑州大学学报(工学版)
dc:identifier: LnterrelatedLiterature:郑州大学学报(工学版).2003,24(3),101-105.
dc:identifier:DOI:10.3969/j.issn.1671-6833.2003.03.026
dc: identifier:ISBN:1671-6833