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光伏型Inlt;,xgt;Galt;,1-xgt;As/GaAs QWIP的理论设计

北京航空航天大学 辅仁网/2017-07-06

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光伏型Inlt;,xgt;Galt;,1-xgt;As/GaAs QWIP的理论设计
文献类型会议
作者于磊[1];曾一平[2];孔梅影[3]
机构
会议论文集第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集
来源信息年:2003
会议信息第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会ISSN:
关键词分子束外延;量子阱;红外探测器;多垒共振隧穿;光伏型In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs QWIP
摘要采用MBE生长了非均匀结构In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs QWIP(X=0.28),室温下观测到明显的共振隧穿效应,本文探讨了它的成因,并由此提出了高量子效率的红外探测器的设想.
所属部门物理科学与核能工程学院
全文链接http://d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_5203446.aspx
会议地点北京
会议开始日期2003-10-22



影响因子:


物理系于磊

dc:title:光伏型Inlt;,xgt;Galt;,1-xgt;As/GaAs QWIP的理论设计
dc:creator:于磊;曾一平;孔梅影
dc:date: publishDate:2003-10-22
dc:type:会议
dc:format: Media:第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
dc:identifier: LnterrelatedLiterature:第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会.2003.
dc:identifier:DOI:
dc: identifier:ISBN:
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