光伏型In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs QWIP的理论设计
| 文献类型 | 会议 |
| 作者 | 于磊[1];曾一平[2];孔梅影[3] |
| 机构 | 北京航空航天大学应用物理系(北京);中国科学院半导体研究所新材料部(北京 ↓ |
| 来源信息 | 年:2003页码范围:416-419 |
| 会议信息 | 第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集中国电子学会ISSN: |
| 关键词 | 分子束外延 量子阱 红外探测器 多垒共振隧穿 光伏型In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs QWIP |
| 摘要 | 采用MBE生长了非均匀结构In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs QWIP(X=0.28),室温下观测到明显的共振隧穿效应,本文探讨了它的成因,并由此提出了高量子效率的红外探测器的设想. |
| 所属部门 | 物理科学与核能工程学院 |
| 会议地点 | 北京 |
影响因子：
dc:title:光伏型In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs QWIP的理论设计
dc:creator:于磊;曾一平;孔梅影
dc:date: publishDate:1753-01-01
dc:type:会议
dc:format: Media：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集中国电子学会
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集中国电子学会.2003,416-419.
dc:identifier:DOI：
dc: identifier:ISBN:
