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氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展

外文标题	Latest Development in Optoelectronic Properties and Its Application of Hydrogenated Nano-crystalline Silicon Thin Films
文献类型	期刊
作者	韦文生[1];王天民[2];王聪[3]
机构	[1]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京100083 [2]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京100083 [3]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心,北京100083 ↓
来源信息	年:2002卷:16期:2页码范围:37-39
期刊信息	材料导报ISSN:1005-023X
关键词	氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜 光电性质 量子功能器件
摘要	氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜具有室温下的高电导率、电致发光及光致发光等独特的性能,可应用于超大规模集成电路中,因而引起人们广泛的研究兴趣.简单地综述了国内外有关nc Si:H薄膜的制备方法、导电机理、发光机理及其应用于量子功能器件等方面的研完工作.
所属部门	材料科学与工程学院
链接地址	http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_cldb200202013.aspx
DOI	10.3321/j.issn:1005-023X.2002.02.013

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dc:title:氢化纳米硅薄膜光电性质及其应用研究进展
dc:creator:韦文生;王天民;王聪
dc:date: publishDate:2002-02-15
dc:type:期刊
dc:format: Media：材料导报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：材料导报.2002,16(2),37-39.
dc:identifier:DOI：10.3321/j.issn:1005-023X.2002.02.013
dc: identifier:ISBN:1005-023X