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自生TiCp/Ti复合材料中TiC的生长习性

北京航空航天大学 辅仁网/2017-07-06

文献详情


自生TiCp/Ti复合材料中TiC的生长习性
外文标题STUDY OF GROWTH HABIT OF TiC IN TiCp/Ti COMPOSITES
文献类型期刊
作者Jin, YX[1];Zhang, H[2];Zeng, SY[3];Zhang, EL[4];Li, QF[5]
机构
通讯作者Jin, YX (reprint author), Harbin Engn Univ, Mech & Elect Engn Dept, Harbin 150001, Peoples R China.
来源信息年:2002卷:38期:11页码范围:1223-1227
期刊信息金属学报影响因子和分区ISSN:0412-1961
关键词钛合金;复合材料;TiC;晶体生长
摘要利用配位多面体生长基元理论研究了自生TiCp/Ti复合材料中TiC的生长习性.TiC晶体的配位多面体生长基元为TiC6.生长基元进入{100}面时为4个棱边同时联结,生长速率最快,不易显露;进入{111}面时为共面联结,生长速率最慢,容易显露因此,TiC晶体的理想形态为以{111}面为显露面的八面体.TiC晶胚在熔体中生长时,受传热传质过程的影响,6个顶角所处的{100}方向生长速率加快,形态失稳,从{100}方向顶角部位生长出二次枝晶臂,最终形成棱面枝晶状TiC.如枝晶形成时低生长速度的晶面上形成大量的晶体缺陷,则它们的生长速度加快,棱面消失,成为光滑枝晶.
收录情况SCIE(WOS:000179827800018)PKUCSCD
所属部门材料科学与工程学院
链接地址http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_jsxb200211018.aspx
DOI10.3321/j.issn:0412-1961.2002.11.018
学科冶金工程
被引频次7
基金国防重点实验室基金


全文|
影响因子:0.54
中科院分区:
一级学科 一级分区 二级学科 二级分区
工程技术 4 METALLURGY & METALLURGICAL ENGINEERING冶金工程 4

JCR分区:
学科 分区
METALLURGY & METALLURGICAL ENGINEERING Q3

暂无成果共有人
dc:title:自生TiCp/Ti复合材料中TiC的生长习性
dc:creator:金云学;张虎;曾松岩,等
dc:date: publishDate:2002-11-01
dc:type:期刊
dc:format: Media:金属学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature:金属学报.2002,38(11),1223-1227.
dc:identifier:DOI:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.11.018
dc: identifier:ISBN:0412-1961
相关话题/金属 学科 冶金 工程 材料科学与工程学院