软X射线发射光谱法研究过渡金属硅化物的价电子能带结构
| 外文标题 | Valence Band Denstiy of states of Transition Metal Silicides Studied by Soft X-Ray Emission Spectroscopy |
| 文献类型 | 期刊 |
| 作者 | 王金良[1];王天民[2] |
| 机构 | [1]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心!北京100083,北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心!北京100083 [2]北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心!北京100083,北京航空航天大学理学院材料物理与化学研究中心!北京100083 ↓ |
| 通讯作者 | Wang, Jinliang |
| 来源信息 | 年:2000卷:21期:8页码范围:754-759 |
| 期刊信息 | 半导体学报ISSN:0253-4177 |
| 关键词 | 软X射线发射光谱法;锰硅化物;价电子态密度;Si-L23和Si-Kβ价带发射谱 |
| 摘要 | 用软X射线发射光谱法对MnSi、MnSi1.7这两种组成的过渡金属锰硅化物的价电子能带构造进行了研究.首先在硅表面上形成了MnSi、MnSi1.7单一相薄膜,并用X射线衍射谱得到证实.然后测量了这两种锰硅化物的软X射线发射光谱Si-Kβ发射光谱和Si-L2,3发射光谱,Si-Kβ发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的Si-p部分电子态密度,而Si-L2,3发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的Si-s,d部分电子态密度.MnSi、MnSi1.7的Si-L2,3发射光谱具有不同的形状.这些不同形状的原因,对比着这两种硅化物的晶体结构和价电子的能带结构进行了分析与讨论. |
| 收录情况 | EI(2001115502425) |
| 所属部门 | 材料科学与工程学院 |
| 链接地址 | http://d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bdtxb200008005.aspx |
| DOI | 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.08.005 |
| 人气指数 | 10 |
| 浏览次数 | 10 |
影响因子：
dc:title:软X射线发射光谱法研究过渡金属硅化物的价电子能带结构
dc:creator:王金良;王天民
dc:date: publishDate:2000-08-01
dc:type:期刊
dc:format: Media：半导体学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：半导体学报.2000,21(8),754-759.
dc:identifier:DOI：10.3321/j.issn:0253-4177.2000.08.005
dc: identifier:ISBN:0253-4177
