硅基钠米材料发光特性的研究进展
| 文献类型 | 期刊 |
| 作者 | 彭英才[1];何宇亮[2] |
| 机构 | [1]河北大学电子信息工程学院,北京航空航天大学材料物理与化学研究中心 [2]河北大学电子信息工程学院,北京航空航天大学材料物理与化学研究中心 ↓ |
| 来源信息 | 年:1999期:01页码范围:+1-8 |
| 期刊信息 | 量子电子学报ISSN:1007-113X |
| 关键词 | 硅基纳米材料;光致发光;电致发光;发光机制 |
| 摘要 | 近年，硅基低维材料物理与工艺的研究预示，硅基光电子学将是今后半导体光电子学的一个主要发展方向，而硅基低维发光材料又将成为半导体光电子集成技术的主要基础材料。随着硅基超晶格、量子阱和多孔硅研究的不断深化以及纳米科学技术的日益发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。本文将主要介绍硅基纳米材料，如采用各种成膜技术在不同衬底表面上制备的高质量纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）膜，镶嵌在各种介质，如 －Ｓｉ：Ｈ、ＳｉＯ２或ＳｉＮｘ中的纳米晶硅，以及利用自组织生长的Ｇｅ、Ｓｉ以及ＧｅＳｉ纳米量子点的光致发光特性及其最近研究进展。 |
| 收录情况 | CSCD |
| 所属部门 | 材料科学与工程学院 |
| 人气指数 | 2 |
| 浏览次数 | 2 |
全文
影响因子：
dc:title:硅基钠米材料发光特性的研究进展
dc:creator:彭英才;何宇亮
dc:date: publishDate:1999-03-15
dc:type:期刊
dc:format: Media：量子电子学报
dc:identifier: LnterrelatedLiterature：量子电子学报.1999,+1-8.
dc:identifier:DOI：
dc: identifier:ISBN:1007-113X
