姓名：张昆
博士后
性别：男
出生年月：1989-12-20
毕业院校：山东大学
学位：博士学位
所在单位：微电子学院
学科：电子科学与技术
办公地点：新主楼F1009
联系方式：张昆
Email：Zhang_Kun@buaa.edu.cn

个人简历：
北京航空航天大学微电子学院教师。2012年获得山东大学物理学院博士学位。随着半导体工艺尺寸的减小，计算机性能按照摩尔定律的预言不断提高，然而CMOS管的本征漏电流问题使得摩尔定律的发展前景蒙上阴影。作为极具潜力的解决方案，自旋电子学器件应运而生。围绕新型自旋电子学器件的性能优化，我们做了很多有益的尝试。例如，为了解决自旋电子器件的磁电阻比值较低，应用过程中容易导致信息读取错误的问题，我们提出整流磁电阻效应，实现高磁电阻比值；将电致阻变和隧穿磁电阻效应结合在复合势垒的磁隧道结中，实现了四态的高密度存储；构建了二极管辅助的ZnCoO器件，实现了可重构的逻辑运算，有望解决目前冯诺伊曼架构的瓶颈。目前已经以第一作者身份发表SCI论文4篇，累计合作发表SCI论文20余篇，申请国家发明专利5项。

代表性论文：
[1] K. Zhang, Y. Zhang, Z. Zhang, Z. Zheng, G. Wang, Y. Zhang, Q. Liu, S. Yan, and W. Zhao, Large magnetoresistance and 15 Boolean logic functions based on a ZnCoO film and diode combined device, Adv. Electron. Mater. 5, ** (2019). SCI期刊（被选为封面文章）
[2] K. Zhang, Q. Huang, Y. Yan, X. Wang, J. Wang, S. Kang, and Y. Tian, Rectification magnetoresistance device: experimental realization and theoretical simulation, Appl. Phys. Lett. 109, 213503 (2016). SCI期刊
[3] K. Zhang, Y. Cao, Y. Fang, Q. Li, J. Zhang, C. Duan, S. Yan, Y. Tian, R. Huang, R. Zheng, S. Kang, Y. Chen, G. Liu, and L. Mei, Electrical control of memristance and magnetoresistance in oxide magnetic tunnel junctions, Nanoscale 7, 6334 (2015). SCI期刊
[4] K. Zhang, H. Li, P. Grünberg, Q. Li, S. Ye, Y. Tian, S. Yan, Z. Lin, S. Kang, Y. Chen, G. Liu, and L. Mei, Large rectification magnetoresistance in nonmagnetic Al/Ge/Al heterojunctions, Sci. Rep. 5, 14249 (2015). SCI期刊

教育经历：
[1] 2017年9月至今，北京航空航天大学，微电子学院，博士后；
[2] 2012年9月-2017年6月，山东大学，物理学院，博士；
[3] 2008年9月-2012年6月，山东大学，物理学院基地班，学士。

工作经历：
2017年9月至今，北京航空航天大学博士后

研究方向：
[1] 存算一体逻辑逻辑器件的设计
[2] 新型磁材料的电场调控
[3] 强自旋轨道耦合材料/结构中的自旋轨道矩效应