姓名:王佑
博士后
性别：男
出生年月：1989-07-20
毕业院校：法国国立高等电信学校
学位：博士学位
所在单位：微电子学院
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：合肥创新研究院A6楼
联系方式：
Email：youwang@buaa.edu.cn

个人简历：
2011年毕业于华中科技大学光电信息工程专业，获工学学士学位，随后于2013年获得巴黎第十一大学集成电路方向硕士学位和电子与嵌入式开发专业工程师学位，于2017年在巴黎国立高等电信学院获微电子学博士学位，目前在北航微电子学院从事博士后研究工作。主要从事自旋电子器件、非易失性存储器、低功耗安全电路设计与电子电路的可靠性的研究。近五年在电路与器件可靠性领域的期刊IEEETransactionsonelectrondevices和Microelectronics Reliability等国际权威期刊和国际会议上发表论文20篇（SCI索引论文15篇）。硕士与博士期间参与法国科研署(ANR)资助的多个科研项目并完成核心任务。2014年在国际可靠性研究会议ESREF上获得最佳论文海报奖。另外，博士课题研究期间开发的两个基于自旋电子器件的开源模型库发表于国际著名纳米级器件开源网站Nanohub并被众多行业内科研机构使用.

代表性论文：
[1]Y. Wang,Y. Zhang, YG. Zhang, WS. Zhao, H. Cai, L. Naviner,“Design Space Exploration of Magnetic Tunnel Junction based Stochastic Computing in Deep Learning”, 2018 ACM GLSVLSI, Chicago, USA, 23-25 May2018.
[2] Y. Wang, H. Cai, L. Naviner, WS. Zhao, “A non-Monte-Carlo Methodology for Variability Analysis of Magnetic Tunnel Junction Based Circuits”, IEEE Trans. on Magnetics, Vol.53, 3, pp. 1-6, 2017.
[3] Y. Wang, H. Cai, L. Naviner, JL. Yang, JO. Klein, WS. Zhao. “A novel circuit design of true random number generator using magnetic tunnel junction”, 2016 IEEE/ACM NANOARCH, Beijing, China, 18-20 July2016.

[4] Y. Wang, H. Cai, L. Naviner, Y. Zhang, XX. Zhao, E. Deng, JO. Klein, WS. Zhao, “Compact model of dielectric breakdown in spin transfer torque magnetic tunnel junction”, IEEE Trans. on Electron Devices, Vol. 63, 4, pp. 1762-1767, 2016.
[5] Y. Wang, H. Cai, L. Naviner, Y. Zhang, XX. Zhao, M. Slimani, JO. Klein, WS. Zhao, “A process-variation-resilient methodology of circuit design by using asymmetrical forward body bias in 28nm FDSOI”, Microelectronics Reliability, Vol. 64, pp. 26-30, 2016.

[6] Y. Wang, H. Cai, L. Naviner, Y. Zhang, JO. Klein, WS. Zhao, “Compact thermal modeling of spin transfer torque magnetic tunnel junction”, Microelectronics Reliability, Vol. 55, 9, pp. 1649-1653, 2015.

[7] Y. Wang, Y. Zhang, E. Deng, JO. Klein, L. Naviner, W. Zhao, “Compact model of magnetic tunnel junction with stochastic spin transfer torque switching for reliability analyses”, Microelectronics Reliability, Vol. 54, 9, pp. 1774-1778, 2014.

教育经历：
[1] 2014.01-2017.02，法国国立高等电信学校，电子科学与技术，博士，导师：Lirida Naviner
[2] 2011.09-2013.10，法国巴黎第十一大学，电子科学与技术，硕士，导师：Ming Zhang
[3] 2007.09-2011.06，华中科技大学，光学工程，学士，导师：杨克诚

工作经历：
[1] 2017.3-2017.9,巴黎高科电信学院,微电子系,博士后
[2] 2017.10-至今,北京航空航天大学,博士后,合作导师:赵巍胜

研究方向：
[1]自旋电子存储器件建模
[2]低功耗安全电路设计
[3]电子电路的可靠性的研究