基本情况
邢艳辉，女，1974年出生，博士，副教授，硕士生导师。2001年4月，毕业于长春理工大学光学工程专业，获硕士学位；2008年6月毕业北京工业大学，微电子学与固体电子学专业，获博士学位。
主要从事半导体材料和器件的研究及教学工作
主要研究方向：
GaN基材料制备与测试分析，新型LED器件研究，GaN基增强型HEMT器件的研制和应用等。
主持和承担国家自然科学基金，北京市自然科学基金，承担和企业合作的北京市科委的项目。参加科研基地建设项目、科技成果转化提升计划项目、以及北京市教委、科委等课题的研究。作为骨干参与高亮度红光LED技术成功转让项目，获得北京市科学技术一等奖1项。发表SCI与EI检索论文50余篇。培养硕士毕业论文连续获得北京工业大学优秀毕业论文，北京市优秀毕业生。
SCI收录代表性论文：
1.Wang Kai，Yanhui Xing*, Jun Han et al. Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate[J]. Journal of Alloys and Compounds, 2016, 671:435-439.
2.Zhao Kangkang，Yanhui Xing*，Jun Han et al. Magnetic transport property of NiFe/WSe2/NiFe spin-valve structure[J] Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2017，432:10-13
3.Xing Yanhui*, Han Jun, Deng Jun et al, Investigation of GaN layer grown on different low misoriented sapphire by MOCVD，[J]Applied Surface Science 255 (3) :6121 -6124
4.Xing Yanhui*, Han Jun, Deng Jun, et al， Interrupted Mg doping of GaN with MOCVD for improved p-type layers. [J]Vaccum ，82（9）：1-4
5.王凯，邢艳辉*，韩军，. 掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究[J]. 物理学报，2016，65(1): 016802.
6.邢艳辉*, 韩军，邓军等，p型GaN低温粗化提高发光二极管特性 [J]物理学报 59（2）：1233-1236
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