张亚民
一、个人简介：
男，工学博士，副教授，硕士研究生导师， IEEE Transactions on Power Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices, IEEE Electron Device Letters等学术刊物审稿人。2015年6月毕业于北京工业大学微电子学与固体电子学专业,获工学博士学位，同年留校从事教学科研工作。多年来一直致力于新型半导体器件及可靠性的研究，作为项目负责人主持国家自然科学基金，北京市自然科学基金，中国博士后基金等纵向科研项目6项；作为主要人员参与国家自然科学基金，北京市自然科学基金，北京市科技计划项目，广东省战略性新兴产业项目，企事业单位合作项目等20余项；近五年以第一作者或通讯作者在APL、IEEE TPE、TED、EDL等杂志发表SCI论文10余篇，获中国电子学会技术发明奖1项。
二、招生方向及研究兴趣：
招生方向: 微电子器件可靠性物理
研究兴趣：微波功率器件及其可靠性、半导体器件温升检测及散热优化等。
三、主要科研项目：
1. 基于峰值谱技术的 GaN 基 HEMT器件陷阱演化特征及物理机制研究，国家自然科学基金青年项目，**，2019/01-2021/12，30万元，主持，在研
2. GaN 基 HEMT 器件微区结构损伤表征及内在物理机制研究，北京市自然科学基金面上项目，**，2019/01-2021/12，20万元，主持，在研
3. 多物理场致GaN功率器件微区结构损伤机理及优化方法研究，装备预研重点实验室基金，，2019/01-2020/12，30万元，主持，在研
4. GaN基微波功率器件中应力对可靠性的影响及其机理研究，北京市自然科学基金青年项目，**，，2016/01-2017/12，8万元，主持，已结题
5. GaN基HEMT有源区温度跃变引起微区结构损伤的机理研究，中国博士后科学基金，2016M600882， 2016/10-2017/12，5万元，主持，已结题
四、代表性论文(10篇)：
1. Bangbing. Shi, Shiwei. Feng, Yanmin Zhang*, et al. Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base-Collector Voltage Drop at Low Current. IEEE Transactions on Power Electronics. 2019, 34(10):10136-10142.
2. Xiang Zheng, Shiwei Feng, Yanmin Zhang*, et al. Evaluation of the Schottky Contact Degradation on the Temperature Transient Measurements in GaN HEMTs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 65(5):1734-1738.
3. Xiang Zheng, Shiwei Feng, and Yanmin Zhang*, et al. A New Differential Amplitude Spectrum for Analyzing the Trapping Effect in GaN HEMTs Based on the Drain Current Transient. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(4): 1498-1504.
4. Siyu Zhang, Shiwei Feng, and Yanmin Zhang*, et al.Monitoring of early catastrophic optical damage in laser diodes based on facet reflectivity measurement[J]. Applied Physics Letters, 2017, 110(22): 223503.
5. Yamin Zhang, Shiwei Feng*, Hui Zhu, et al. Study of Heat Transport Behavior in GaN-Based Transistors by Schottky Characteristics Method[J]. IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 64(5): 2166-2171.
6. Yamin Zhang, Shiwei Feng*, Li Wang, et al. Measuring temperature in GaN-based high electron mobility transistors using cathodoluminescence spectroscopy. Semiconductor Science & Technology, 2015, 30(5):055016.
7. Yamin Zhang, Shiwei Feng*, Hui Zhu, et al. Effect of Self-heating on the Drain Current Transient Response in AlGaN/GaN HEMTs, IEEE Electron Device Letters, 2014, 35:345.
8. Yamin Zhang, Shiwei Feng*, and Hui Zhu, et al. Determining Drain Current Characteristics and Channel Temperature Rise in GaN HEMTs. IEEE Transactions on Devices & Material Reliability, 2014, 14: 978.
9. Yamin Zhang, Shiwei Feng*, Hui Zhu, et al. Assessment of pulse conditions effects on reliability in GaN-based high electron mobility transistors by transient temperature measurements. Journal of Applied Physics, 2013, 114(9):094516.
10.Yamin Zhang, Shiwei Feng*, and Hui Zhu, et al., Two-dimensional transient simulations of the self-heating effects in GaN-based HEMTs. Microelectronics Reliability, 2013, 53(5):694-700.
五、联系方式：
电话： 邮箱：yaminzhang@bjut.edu.cn
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