龙世兵 导师介绍
姓名
龙世兵



工作单位
中国科学技术大学先进技术研究院/中国科学技术大学微电子学院

学位/职称
博士/教授

办公室电话


Email
shibinglong@ustc.edu.cn

教育背景
1995.09--1999.07，北京科技大学物理系应用物理专业本科生；
1999.09--2002.03，北京科技大学材料物理系材料物理与化学专业硕士研究生。
2002.04--2005.06，中国科学院微电子研究所，微电子学与固体电子学专业博士研究生。

研究方向
宽禁带半导体功率电子器件和紫外探测器、存储器

任职经历
2005.07--2018.03，中国科学院微电子研究所，助理研究员、副研究员、研究员；
2011.02--2012.02，西班牙巴塞罗那自治大学，访问****；
2019.03--至今，中国科学技术大学，教授，国家示范性微电子学院常务副院长。

获得荣誉、奖项
2018年，中国科学院杰出科技成就奖，新型存储器件及集成研究集体，突出贡献者；
2016年，国家自然科学奖，二等奖，氧化物阻变存储器机理与性能调控，排名4/5；
2013年，国家技术发明奖，二等奖，高精度微纳结构掩模制造核心技术，排名6/6；
2015年，中国电子学会科学技术奖，自然科学类一等奖，阻变存储器机理与性能调控，排名5/15；
2010年，北京市科学技术奖，一等奖，微纳结构“自上而下” 制备核心技术与集成应用，排名5/15；
2014年，北京市科学技术奖，二等奖，阻变存储器及集成的基础研究，排名4/15；
2013年，国家自然科学基金优秀青年科学基金项目获得者，新型非挥发性阻变存储器。

主持、参与项目
2017-2022, 超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件基础研究, 中科院前沿科学重点项目，项目负责人；
2018-2020, 纳米阻变存储器的机理、表征和应用研究创新交叉团队, 中科院创新交叉团队项目，项目负责人；
2016-2021, 纳米阻变存储器的三维集成, 国家重点研发计划课题，课题负责人；
2009-2012, 32nm RRAM关键工艺和技术, 国家科技重大专项子课题，子课题负责人；
2009-2011, 基于二元金属氧化物的阻变存储器, 863项目，项目负责人；
2008-2010, 离子束溅射与刻蚀系统, 中国科学院重大科研装备研制项目，项目负责人。

论文、著作
在IEEE EDL/TED、Nat. Commun.、Adv. Mater.、Small、Adv. Electron. Mater.等期刊上发表SCI论文100余篇；全部论文近五年SCI他引2395次，H因子34；5篇论文入选ESI高被引论文。
获得授权发明专利63项；9项授权中国发明专利转移给中芯国际公司；74项授权/受理中国发明专利许可给武汉新芯公司。