齐胜利 导师介绍
姓名
齐胜利


学位/职称
高级工程师

办公室电话
-8886

Email
qishengli00@126.com

教育背景
2001-2005 复旦大学物理系 理学学士
2005-2010 北京大学物理学院 凝聚态物理博士

研究方向
研究方向为宽禁带半导体材料、器件研发及产业化、高效率垂直结构GaN基LED的外延、芯片结构设计与工艺开发、Micro/MiniLED新型显示芯片研发及产业化、深紫外LED的研发及产业化

任职经历
2010.7-2014.4 上海蓝光科技有限公司 制造二部经理、总经理助理
2014.4-2016.6 华灿光电股份有限公司 资深产品开发经理
2016.6-2017.12 盐城东紫光电科技有限公司 总经理
2017.12- 合肥彩虹蓝光科技有限公司副总经理、总经理

获得荣誉、奖项
2010年度 彩虹集团十大****
2017年 盐城市515领军人才
2018年 合肥市创新领军人才
2018年 中国电子信息产业集团有限公司科技人才奖

主持、参与项目
课题名称　项目类别项目起止时间面向新型显示用Micro/Mini LED芯片研发项目负责人安徽省战略新兴产业基地项目2018．1- 2020．12高端化合物半导体芯片重大新兴产业专项高级研究人员安徽省“三重一创”项目2018.6-2021.6背光源用中功率芯片的研制及产业化项目负责人2011年度软件和集成电路产业发展专项资金项目2010.10-2012.9高压直流LED量产技术的研发项目负责人2011年市科委科研计划项目2011.11-2013.9高亮度LED用凸图形衬底的研发及产业化高级研究人员2011上海市引进技术的吸收与创新年度计划2011.6-2014.6高光效、高显色性、低色温功率型LED器件及其测试技术研发及产业化高级研究人员2012电子信息产业发展基金招标项目2012.6-2014.6采用纳米复合导电薄膜技术提高GaN基LED出光效率高级研究人员上海市浦江人才计划专项资助资金2012.7-2014.6半导体照明用蓝宝石图形衬底的研发及产业化高级研究人员2010年度电子信息产业发展基金项目2010.6-2012.6高效安培级白光LED产业化关键技术开发（863项目）参与人员2008年度“863计划”新材料技术领域“半导体照明工程”重大项目2008.10-2010.12GaN基激光剥离、垂直结构LED制备的产业化关键技术研究）参与人员2006年度“863计划”新材料技术领域“半导体照明工程”重大项目2006.10-2008.12影响人体生物节律的LED光源研究参与人员2006年度“863计划”新材料技术领域“半导体照明工程”重大项目2006.10-2008.12等离子氧化对III-V族氮化物的光学、电学性质的影响的研究参与人员2006年度国家自然科学基金2006.10-2007.12


论文、著作
1、Study on the formation of dodecagonal pyramid on nitrogen polar GaN surface etched by hot H3P04（磷酸腐蚀N面GaN生成十二面体的机理研究）， S. L. Qi, Z. Z. Chen, H. Fang, et al, Applied Physics Letters, 95, 071114(2009)；
2、Fabrication of dodecagonal pyramid on nitrogen face GaN and its effect on the light extraction（N面GaN表面十二面体图形制备及其在出光效率提升上的作用），QI ShengLi, CHEN ZhiZhong, SUN YongJian,et al, Science China E Technological Sciences, 53, 769(2010)；
3、采用AIGaN/GaN阻挡层的大功率InAIGaN/GaN MQWs蓝光LED,齐胜利，陈志忠，潘尧波等，半导体技术 33 216(2008)；
4、33 μm free standing thick film vertical structure LED made by laser lift-off（激光剥离制备33um自支撑GaN厚膜垂直结构LED），Yongjian Sun1 , Shengli Qi 1 , Zhizhong Chen *1 , Xingning Kang 1 , Guangmin Zhu 2 , Cheng Chen 2 ,Shitao Li2 , Yaobo Pan 2 , Jianfeng Yan 2 , Junjing Deng 1 , Hao Long 1 , Maosheng Hao 2 , Tongjun Yu 1 ,and Guoyi Zhang，Phys. Status Solidi C 6, No. S2, S623–S626 (2009)；
5、Characterization of asymmetric GaN/InGaN multiple quantum well（GaN/InGaN多量子阱不对称表征研究），Z. Chen, S. L. Qi, P. Liu，et al, Phys.Status Solidi C,6,No.S2 S711(2009)。