尹春明
单位:物理学院
地址:合肥市中科大东区物理学院109
邮编:230026
电话:
个人主页: http://staff.ustc.edu.cn/~chunming/
实验室介绍: https://spin.ustc.edu.cn/
个人简历 Personal resume
尹春明,男,中国科学技术大学教授。2006年获南京大学学士学位,2011年获北京大学博士学位。研究领域包括量子计算、凝聚态物理和自旋电子学。有关光电量子调控实验室最新动态,请访问个人主页。当前实验室研究方向包括:1. 硅基单自旋快速光电调控及与光学谐振腔的耦合该研究方向的目标是利用光学微腔将两个距离较远的单自旋耦合起来实现量子逻辑门操作,然后实现多个远距离耦合自旋系统,每个单自旋可以实现高保真度的读出及调控,从而提供一种可扩展的量子计算系统。2. 半导体纳米器件内的精密测量固体材料中的单个离子或者缺陷,可以被用做原子级的探针,来探测电场、应力、磁场、以及周围的电荷和自旋。这个可以被用来研制纳米尺度的微电子器件的探测器以及搭建耦合的电荷/自旋量子系统。3. 基于新型半导体材料的光电量子信息器件研究单个自旋的探测技术,可以读出单个自旋的状态,同时通过了一种高分辨率的单自旋光谱探测手段。目前该技术只在硅基FinFET器件中实现,通过信号模拟,我们设计了更加优化的纳米结构,这有望得到更灵敏的探测,并推广到其他材料体系中。
研究方向 Research direction
1、量子信息
2、精密测量
3、量子光电调控器件
招生信息 Enrollment information
2020-2021年计划招收研究生2-3人,招生专业方向:微尺度物质科学国家研究中心和物理学院各1人。欢迎对物理实验感兴趣,动手能力强,具备凝聚态物理或光学的基本专业知识,或低温实验基础的学生加入本实验室。
论文专著 The monograph Researcher ID
1)Control of Circular Photogalvanic Effect of Surface States in the Topological Insulator Bi2Te3 via Spin Injection - ACS Appl. Mater. Interfaces - 2020 - 12, 18091
2)Single rare-earth ions as probe of electric field and strain in nano-transistors - Nano Letters - 2019 - 19, 5025
3)Photoinduced Inverse Spin Hall Effect of Surface States in the Topological Insulator Bi2Se3 - Nano letters - 2017 - 17
4)Optical addressing of an individual erbium ion in silicon - Nature - 2013 - 497
5)Tunable Surface Electron Spin Splitting with Electric Double-Layer Transistors Based on InN - Nano Letters - 2013 - 13
6)Giant photoinduced anomalous Hall effect of the topological surface states in three dimensional topological insulators Bi2Te3 - Applied Physics Letters - 2020 - 116, 141603
7)Helicity-dependent photocurrent of the top and bottom Dirac surface states of epitaxial thin films of three-dimensional topological insulators Sb2Te3 - Physical Review B - 2019 - 100, 235108
8)Inverse spin Hall effect induced by linearly polarized light in the topological insulator Bi2Se3 - Optics Express - 2018 - 26, 4832-4841
9)Coherent frequency up-conversion of microwaves to the optical telecommunications band in an Er:YSO crystal - Physical Review A - 2015 - 92
10)Observation of the photoinduced anomalous Hall effect in GaN-based heterostructures - Applied Physics Letters - 2011 - 98
11)Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling in GaN-based heterostructures probed by the circular photogalvanic effect under uniaxial strain - Applied Physics Letters - 2010 - 97
12)Anomalous linear photogalvanic effect observed in a GaN-based two-dimensional electron gas - Physical Review B - 2011 - 84
13)Strong circular photogalvanic effect in ZnO epitaxial films - Applied Physics Letters - 2010 - 97
14)Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect - Applied Physics Letters - 2009 - 95
15)Anomalous photogalvanic effect of circularly polarized light incident on the two-dimensional electron gas in Al(x)Ga(1-x)N/GaN heterostructures at room temperature - Physical Review Letters - 2008 - 101
16)Circular photogalvanic effect of the two-dimensional electron gas in AlXGa1-XN/GaN heterostructures under uniaxial strain - Applied Physics Letters - 2007 - 91
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