黄勇
单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编：215123
电话：86-
个人主页： http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/201504/t**_**.html
实验室介绍：


个人简历 Personal resume


2002年获得清华大学材料系学士学位，2005获得中科院半导体研究所硕士学位，2010年获得美国佐治亚理工学院电子和计算机工程系博士学位。2011至2014年就职于美国IQE公司，任资深工艺工程师。2015年加入中科院苏州纳米所。主要研究领域是III/V族化合物半导体材料与器件,包括III/V材料的外延生长与表征,器件物理分析与器件设计,以及器件的制备与测试。


研究方向 Research direction


1、半导体光电子器件
2、MOCVD材料生长
3、半导体器件物理



招生信息 Enrollment information


欢迎对III-V半导体材料和器件感兴趣的同学加入我们团队。


论文专著 The monograph Researcher ID


1)High-performance long-wavelength InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD - IEEE Photonics Technol. Lett. - 2019年 - 31 (2), 185
2)High-quality InSb grown on semi-insulting GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition for Hall sensor application - Chin. Phys. Lett. - 2019年 - 36 (1), 017302
3)Exploring the optimum growth conditions for InAs/GaSb and GaAs/GaSb superlattices on InAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition - J. Cryst. Growth - 2018年 - 502, 71–75
4)High-performance mid-wavelength InAs/GaSb superlattice infrared detectors grown by production-scale metalorganic chemical vapor deposition - IEEE Journal of Quantum Electronics - 2017年 - 53（5）
5)Design of InP-based metamorphic high-efficiency five-junction solar cells for concentrated photovoltaics - Semiconductor Science and Technology - 2015年 -
6)Doping-dependent device functionality of InP/InAlGaAs long-wavelength light-emitting transistors - Applied Physics Letters - 2011年 -
7)Strain-balanced InAs/GaSb type-II superlattice structures and photodiodes grown on InAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition - Applied Physics Letters - 2011年 -