陆书龙
单位：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址：江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编：215123
电话：86-
个人主页： http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/200907/t**_**.html
实验室介绍：


个人简历 Personal resume


1997年毕业于曲阜师范大学物理系, 2000年在激光研究所获硕士学位，2003年于中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室理学博士。攻读博士期间，分别于2002年6-9月和2003年1-4月赴香港科技大学物理系从事助理研究。2003年-2006年，德国柏林Paul-Drude电子研究所，博士后；2006年-2008年，日本早稻田大学应用物理系，客员讲师。2008年4月到纳米所工作。


研究方向 Research direction


1、半导体材料的MBE生长与器件



招生信息 Enrollment information





论文专著 The monograph


1)Correlation of optical and electrical properties of Be-doped GaInP grown by all-solid MBE - Optical Materials Express - 2019.3 - 2019年9期
2)Cost-effective selective-area growth of GaN-based nanocolumns on silicon substrates by molecular-beam epitaxy - Journal of Crystal Growth - 2019.2 - 2019年514期
3)Deep-UV emission at 260 nm from MBE-grown AlGaN/AlN quantum-well structures - Journal of Crystal Growth - 2019.2 - 2019年512期
4)High efficiency thin film GaInP/GaAs/InGaAs inverted metamorphic (IMM) solar cells based on electroplating process - Journal of Crystal Growth - 2019.2 - 2019年513期
5)Electron irradiation study of room-temperature wafer-bonded four-junction solar cell grown by MBE - Solar Energy Materials & Solar Cells - 2017.6 - 2017年171期
6)In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性 - Acta Photonica Sinica - 2018.3 - 2018年47期