姓名： 孙治湖
　　性别：男
　　出生年月：1975年1月1日
　　职称：副研究员
　　学院：国家同步辐射实验室
　　研究方向：功能材料的生长、相变等动态过程的原位动力学研究，磁性半导体的结构和性能及其相互关系，IV和III-V族半导体薄膜材料的结构特征等研究领域。
　　
　　
　　个人详细信息

　　1．　个人学习、工作及研究经历：

　　1975年1月1日生，湖南益阳人。1993年考入中国科学技术大学材料科学与工程系，2000年7月于该系获得硕士学位，随后进入中国科学技术大学国家同步辐射实验室攻读博士学位。2004年1月博士毕业后，留在国家同步辐射实验室工作。从2002年3月至2003年3月在日本产业技术总合研究所（AIST）进行博士联合培养，2007年10月至2009年9月，在日本AIST进行博士后研究工作。

　　2．　主要研究方向：

　　功能材料的生长、相变等动态过程的原位动力学研究，磁性半导体的结构和性能及其相互关系，IV和III-V族半导体薄膜材料的结构特征等研究领域。

　　3．　代表性科研成果：

　　(1)　 设计、发展和利用原位化学反应发生装置，深入研究了Au、CdSe等金属和半导体纳米颗粒在初期成核和生长的动力学过程，在J． Am． Chem． Soc．、J． Phys． Chem． C和Appl． Phys． Lett．等国际高影响力杂志上发表了系列研究论文。

　　(2)　 利用变温原位同步辐射XAFS装置，成功地研究了高温退火法制备的高纯VO2材料在升温和降温过程中的原子结构和电子结构信息以及变化规律，在物理学科国际顶级刊物上发表研究论文[Phys． Rev． Lett． 105, 226405 (2010)]。

　　(3)　 从理论和实验两方面研究了一系列半导体、磁性半导体材料的结构、性能及其相互关系，在Phys． Rev． B和Appl． Phys． Lett．等著名杂志上发表了一系列研究论文。

　　(4)　 在利用多重散射XAFS方法研究IV和III-V族半导体薄膜、量子点以及超硬多层膜的初期生长机理、界面扩散行为、晶格畸变等研究领域，以第一作者在凝聚态物理学领域的top期刊Phys． Rev． B上发表了连续论文。