姓　名： 王莉

职　称： 副教授

职　务： 电子科学与技术系主任

所属系： 电子科学与技术系

邮　箱： wlhgd@hfut.edu.cn

电　话： **


个人简介： 2005年获得中国科学院固体物理研究所博士学位，入职合肥工业大学电子科学与应用物理学院，在加拿大多伦多大学做访问****一年，获合肥工业大学师德先进个人称号。近年来主要从事光电子材料及信息功能器件方面的研究工作，在IEEE Transactions on Electron Devices，ACS Appl. Mater. Interfaces, J. Mater. Chem. C, Appl. Phys. Lett.等重要国际国内期刊发表学术论文30余篇（其中第一作者或通讯作者论文13篇），申请中国发明专利19项（第一申请人身份10项)，培养省级优秀研究生一名，获国家奖学金一名。

研究方向： 光电子材料及信息功能器件

开设课程（本科生、研究生）： 主讲课程： 本科课程《半导体物理》、《半导体集成电路基础》，研究生课程 《薄膜微电子学》

科研项目： 1.国家自然科学基金青年基金项目，基于Si/II-IV族半导体异质结波长可调纳米发光器件的研究，（主持）
2.国家自然科学基金青年基金项目，铜基硫属半导体纳米材料的液相可控合成与性能研究（参与）
3.国家自然科学基金青年基金项目，基于准一维半导体高性能场效应器件的研究（参与）
4.国家自然科学基金青年基金项目，硅纳米线电学性质的表面依赖性及相关应用研究（参与）
5.国家自然科学基金面上项目，表面等离子体增强的II-VI族半导体纳米光电探测器（参与）
6.安徽省教育厅高校省级优秀青年人才基金, 基于Ⅱ-Ⅵ/Ⅳ族准一维径向导质结半导体光电子器件的研究（主持）
7.中央高校专项基金，高速二维层状过渡族金属硫化物垂直异质结近红外探测器（参与）
8.宿州高新开发区联合项目（共100万，个人承担经费20万）

代表成果： 著作
《传感器原理及应用》，黄英、王永红、王敏、王莉、仇冀宏、刘彩霞、刘平，合工大出版社，2016.4。
第一作者（通讯作者）部分论文：
1、Li Wang , Hehao Luo, Huanhuan Zuo, Jiqing Tao, Yongqiang Yu, Xiaoping Yang, Molin Wang,Jigang Hu, Chao Xie, Di Wu, and Linbao Luo. Highly Sensitive Narrow-Band Si Photodetector with Peak Response at Around 1060 nm, IEEE Transactions on Electron Devices，doi：10.1109/TED.2020.**
2、Li Wang, Zhen Li, Ming Li, Shao Li, Yingchun Lu, Ning Qi, Jian Zhang, Chao Xie, Chunyan Wu,and Lin-Bao Luo. Self-Powered Filterless Narrow-Band p−n Heterojunction Photodetector for Low Background Limited Near-Infrared Image, ACS Appl. Mater. Interfaces 2020, 12, 21845−21853.
3、Li Wang, Li Jingjing，Qi Fan, Zhengfeng Huang, Yingchun Lu, Chunyan Wu, Chao Xie, Linbao Luo. High-performance near-infrared light photovoltaic detector based on multilayered PtSe2/Ge heterojunction, Journal of Materials Chemistry C, 2019, 7, 5019
4、Li Wang , Chen Ran, Ren Zhi-Fei, Ge Cai-Wang, Liu Zhen-Xing, He Shu-Juan, Yu Yong-Qiang,Wu Chun-Yan, Luo Lin-Bao, Plasmonic silver nanosphere enhanced ZnSe nanoribbon/Si heterojunction optoelectronic devices，NANOTECHNOLOGY，27（21）2016
5、Li Wang, Song Hong-Wei, Liu Zhen-Xing, Ma Xu, Chen Ran, Yu Yong-Qiang, Wu Chun-Yan,Hu Ji-Gang, Zhang Yan, Li Qiang, Luo Lin-Bao, Core-shell CdS: Ga-ZnTe: Sb p-n nano?heterojunctions: fabrication and optoelectronic characteristics, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 3(12)：pp: 2933-2939, 2015
6、Li Wang, Ma Xu, Chen Ran, Yu Yong-Qiang, Luo Lin-Bao，Ultraviolet nano-photodetector based on ZnS:Cl nanoribbon/Au Schottky junctions, JOURNAL OF MATERIAL SCIENCEMATERIALS IN ELECTRONICS,26（6）pp:4290-4297,2015
7、Li Wang, Wang, Xiang-An, Chen, Ran, Wu, Chun-Yan, Yu, Yong-Qiang, Xu, Jun, Hu, Ji-Gang,Luo, Lin-Bao, Gallium doped n-type ZnxCd1-xS nanoribbons: Synthesis and photoconductivity properties, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 115(6), 2014/2/14
8、Min Lu, Xing zhi Zhao, Xiangan Wang, Li Wang，Construction of High-Quality P-Type ZnSe Nanowires/n-Type Si Heterojunctions and their Nano-Optoelectronic Applications，ADVANCED MATERIALS RESEARCH，569（1）pp:31~342012,2012
9、Li Wang, Lu Min, Lv Peng, Jie Jiansheng, Yan Tianxin, Yu Yongqiang, Wu Chunyan, Zhang Yan,Xie Chao, Jiang Peng, Wang Zhi, Hu Zhizhong，High-Performance Blue-Light Photodetectors Based on Single-Crystal ZnSe Nanoribbons with Controlled Gallium Doping，SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS，4（2）pp:332~**,2012
10、Li Wang, Lu Min, Wang Xiangan, Yu Yongqiang, Zhao Xingzhi, Lv Peng, Song Hongwei, ZhangXiwei, Luo Linbao, Wu Chunyan, Zhang Yan, Jie Jiansheng , Tuning the p-type conductivity of ZnSe nanowires via silver doping for rectifying and photovoltaic device applications, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A, 1(4), pp 1148-1154, 2013
申请发明专利（第一发明人）：
1、王莉，李振，范琦，罗和昊，杨小平，罗林保. 一种超薄无机窄带异质结光电探测器及其制备方法. 中国专利申请号: 7.5
2、王莉，左焕涣，李明，罗和昊，谢超.一种受厚度调控的肖特基结无机窄带光电探测器及其制备方法.中国专利申请号: 5X
3、王莉, 李晶晶, 何淑娟, 李振, 罗和昊, 范琦等. 一种宽探测波段双重等离子工作光电探测器及其制备方法. 中国专利申请号: 4.2
4、王莉, 何淑娟, 任治飞, 李晶晶, 李振, 范琦等. 一种氧化锌纳米棒/黑硅异质结纳米光电探测器及其制备方法.中国专利申请号: 6.5
5、王莉、王祥安、卢敏、赵兴志、于永强，一种 p 型掺杂 ZnSxSe1-x 纳米材料及其制备方法,中国,中华人民共和国国家知识产权局, 6.5
6、王莉、赵兴志、王祥安、卢敏、罗林保，一种 p 型掺杂 ZnxCd1-xS 纳米材料及其制备方法，中国,中华人民共和国国家知识产权局, 1.x
7、王莉、ZnSe 纳米光电探测器及其制备方法, 中国,中华人民共和国国家知识产权局,2.8
8、王莉、卢敏、罗林保、吴春艳、胡继刚,基于 p-型 ZnSe 纳米线/n-型 Si 异质结的光电探测器及其制备方法, 中国,中华人民共和国国家知识产权局, ZL 2012 1 **.X
9、王莉、卢敏、赵兴志、王祥安、吴春艳、揭建胜、张彦、马渊明、李强、胡继刚,一种制备II-VI 族 层 叠 集 成 纳 米 光 伏 器 件 的 方 法 , 中 国 , 中 华 人 民 共 和 国 国 家 知 识 产 权 局,ZL4.8
10、王莉、卢敏、赵兴志、王祥安，基于 p 型 ZnSe/n 型 Si 核壳纳米线异质结的存储器的制备方法，中国,中华人民共和国国家知识产权局, 1.4

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