姓　名： 邢琨

职　称： 副教授

职　务：

所属系：

邮　箱： k.xing@hfut.edu.cn

电　话：


个人简介： 邢琨，男，1988年生，博士，副教授，硕士生导师
通信地址：安徽省合肥市屯溪路193号，合肥工业大学电子科学与应用物理学院
学习工作经历：
2007年9月-2010年7月：英国谢菲尔德大学，电子电气工程学院，本科
2010年7月-2014年7月：英国谢菲尔德大学，英国国家III-V族半导体研发中心，博士
2014年8月-2016年10月：英国谢菲尔德大学，英国国家III-V族半导体研发中心，博士后
2016年11月-至今：合肥工业大学，电子科学与应用物理学院，副教授

本科主讲课程： 《Semiconductor Optoelectronics》(英文教学课程)

科学研究： 长期从事宽禁带半导体材料的MOCVD外延和相关光电器件微纳制程工艺的研究工作。承担多项由英国工程和自然研究委员会(EPSRC)拨款的国家级重点科研项目；目前主持2项III族氮化物半导体相关横向课题项目，推进科研成果的有效转化。迄今，已在《Applied Physics Letters》、《Applied Physics Express》等SCI二区学术期刊以第一和通讯作者发表多篇学术论文，并获得已授权中国专利1项。

目前在研课题： 1、低位错密度III族氮化物材料的MOCVD外延开发
2、氮化镓基紫外光(UVA-UVC)、蓝光和绿光LED的外延及制程工艺
3、半极性面氮化镓基高效黄光LED的制备

代表论文： 1、K. Xing, C. Tseng, L. Wang, P. Chi, J. Wang, P. Chen, and H. Liang, “Semi-polar (11-22) GaN epitaxial films with significantly reduced defect densities grown on m-plane sapphire using a sequence of two in situ SiNx interlayers”, Appl. Phys. Lett.114, 131105 (2019).
2、K. Xing, S. Chen, X. Tao, C. Lee, J. Wang, Q. Xu, and H. Liang, “Impact of 3D growth and SiNx interlayer on the quality of (11-22) semi-polar GaN grown on m-plane sapphire”, Appl. Phys. Express12, 115501 (2019).
3、K. Xing, J. Wang, L. Wang, X. Tao, S. Chen, and H. Liang, “Epitaxial GaN films with ultralow threading dislocation densities grown on an SiO2-masked patterned sapphire substrate”, Appl. Phys. Express12, 105501 (2019).
4、J. Bai, F. Guzman, K. Xing, Y. Gong, Y. Hou, and T. Wang, “(11-22) semi-polar InGaN emitters from green to amber on overgrown GaN on micro-rod templates”, Appl. Phys. Lett.107, 261103 (2015).
5、Y. Gong, K. Xing, B. Xu, and T. Wang, High efficiency Green-yellow emission from InGaN/GaN quantum well structures grown on overgrown semi-polar (11-22) GaN on regularly arrayed micro-rod templates,ECS Transactions66, 151-155 (2015).
6、K. Xing, Y. Gong, X. Yu, J. Bai, and T. Wang, “Improved crystal quality of (11-22) semi-polar GaN grown on a nano-rod template”, Jpn. J. Appl. Phys.52, 08JC03 (2013).
7、J. Bai, Y. Gong, K. Xing, X. Yu, and T. Wang, “Efficient reduction of defects in (11-20) non-polar and (11-22) semi-polar GaN grown on nano-rod templates”, Appl. Phys. Lett.102, 101906 (2013).
8、Y. Gong, K. Xing, and T. Wang, “Optical gain in AlGaN/AlGaN multiple quantum wells grown on high temperature AlN multiple buffers”, Phys. Status Solidi8, 7-8 (2011).
9、K. Xing, Y. Gong, J. Bai, and T. Wang, “InGaN/GaN quantum well structures with greatly enhanced performance on a-plane GaN grown using self-organized nano-masks”, Appl. Phys. Lett.99, 181907 (2011).
10、Y. Gong, K. Xing, and T. Wang, “Influence of high temperature AlN buffer on optical gain in AlGaN/AlGaN multiple quantum well structures”, Appl. Phys. Lett.99, 171912 (2011).