马德伟

工作部门:理学院\应用物理系
性别:男
技术职称:高校副教授
最高学位:博士
民族:汉族
籍贯:山东日照市

马德伟，工学博士，副教授/硕士生导师Email：dwma@zjut.edu.cn电话：0571-85290310地址：杭州西湖区留和路288号浙江工业大学理学A楼309室（310023）教育、工作经历简介：2004年浙江大学材料系获工学博士学位；2004-2005年在韩国国立釜山大学先进材料研究院从事研究工作；2006-2008年在复旦大学物理学博士后流动站从事研究工作，并以“优秀”成绩出站；2008.4至今在浙江工业大学理学院工作。曾短期赴意大利、日本、韩国、香港等多个国家和地区进行国际合作和学术交流。主持、参加省部级等科研项目10多项。在Appl.Phys.Lett.、J.Am.Ceram.Soc.等期刊发表SCI、EI收录论文30多篇（其中第1作者13篇）。申请国家发明专利4项，并已授权3项；授权实用新型专利2项。承担教学工作：《热学》、《原子物理学》、《大学物理》、《大学物理实验》、《纳米光子学》等本科生、研究生课程研究方向：?半导体光电子材料与器件?新型光功能玻璃及器件?光学设计与计算机模拟主持科研项目：?浙江省自然科学基金项目：近红外PbSe半导体纳米晶体硅酸盐光纤玻璃的制备及光谱学研究，(2013-2015)?浙江省科技厅创新团队项目：II－VI族新型核/壳结构量子点材料发光性质研究及应用，(2011-2014)?中国博士后基金项目：第40批中国博士后科学基金资助项目(一等)，(2006-2007)?校重点基金项目：PbSe量子点掺杂光纤的溶胶－凝胶制备及宽带发光机理研究，(2010-2013)参与科研项目：?国家基金委重大项目：强关联电子体系的量子相变及反常物性的研究?国家基金委重大项目：能带可调的氧化锌异质结构生长及光电器件应用研究?国家基金委面上项目：Q频移II-VI族CdSe/ZnS纳米晶体量子点准白光激射的若干关键问题研究?国家基金委面上项目：有机分子体系中激子的微观物理性质的研究?国家基金委面上项目：氧化锌场发射器件的纳米线的设计、可控生长与应用研究荣誉：?浙江省科技厅“LED照明新技术科技创新团队”成员（2011年）?浙江工业大学高层次创造性人才计划-青年学术骨干（2009年）?浙江工业大学“程成创新团队”成员（2009年）?浙江工业大学校级优秀班主任（2009年）?浙江工业大学理学院青年教师讲课比赛第二名（2010年）科研论文/专利：在AIP、Elsevier、Wiley、Springer、IOP等数据库国际主流学术期刊及《光学学报》、《半导体学报》、《光学精密工程》、《光电子?激光》等国内期刊发表SCI、EI收录论文30多篇，被SCI期刊论文引用300多次。曾赴意大利、日本、韩国、香港等多个国家和地区参加国际会议和学术交流。申请国家发明专利4项，并已授权3项，授权实用新型专利2项。附部分科研论文：1．D.W.Ma*,C.Cheng,CrystallizationBehaviorsofPbSeQuantumDotsinSilicateGlasses,J.Am.Ceram.Soc.,96(2013)1428–1435.(SCI)2．D.W.Ma*,C.Cheng,SynthesisofSnSe2NanorodsandNanoplatesbyanOrganicSolution-PhaseRoute,J.Nanosci.Nanotechnol.13(2013)4433–4436.(SCI)3．D.W.Ma*,C.Cheng,PreparationsandcharacterizationsofpolycrystallinePbSethinfilmsbyathermalreductionmethod,J.AlloysCompd.,509(2011),6595.(SCI)4．C.Cheng,H.L.Jiang,D.W.Ma*,X.Y.Cheng,AnopticalfiberglasscontainingPbSequantumdots,Opt.Commun.,284(2011)4491.(SCI)5.S.Qiao,DeweiMa*,DonglaiFengetal.,Knotundulatortogeneratelinearlypolarizedphotonswithlowon-axispowerdensity,Rev.Sci.Instrum.80(2009)085108.(SCI)6.D.W.Ma*etal.,AcomparativestudyonZn0.8Cd0.2Ofilmsdepositedondifferentsubstrates,Appl.Surf.Sci.252/14(2006)5051.(SCI)7.D.W.Ma*etal.,PhotoluminescentanalysisofZn1-xCdxOalloys,Appl.Phys.B–Lasersandoptics82/1(2006)85.(SCI)8.D.W.Ma*etal.,DependenceofstructuralandopticalpropertiesofZn1-xCdxOfilmsontheCdcomposition,Phys.Stat.Sol(a)201/13(2004)2929.(SCI)9.D.W.Ma*etal.,SputteringdepositedternaryZn1-xCdxOcrystalfilmsonSi(111)substrates,ThinsSolidFilms461/2(2004)250.(SCI)10.D.W.Ma*etal.,RelationshipbetweenphotoluminescenceandstructuralpropertiesofthesputteredZn1-xCdxOfilmsonSisubstrates,Opt.Mater.25/4(2004)367.(SCI)11.D.W.Ma*etal.,Effectofpost-annealingtreatmentsonthepropertiesofZn1-xCdxOfilmsonglasssubstrates,Mater.Sci.Eng.B111/1(2004)9.(SCI)12.D.W.Ma*etal.,DepositionandcharacteristicsofCdOfilmswithabsolutely(200)-preferredorientation,Mater.Lett.58/1-2(2003)128.(SCI)13.D.W.Ma*etal.,StructuralandOpticalCharacterizationofZn1-xCdxOThinFilmsDepositedbydcReactiveMagnetronSputtering,Chin.Phys.Lett.20/6(2003)942.(SCI)14.Z.Z.Ye,D.W.Ma*etal.,StructuralandPhotoluminescentPropertiesofTernaryZn1-xCdxOCrystalFilmsGrownonSi(111)Substrates,J.Cryst.Growth256/1-2(2003)78.(SCI)15.W.Z.Xu,Z.Z.Ye,D.W.Ma*etal.,Quasi-alignedZnOnanotubesgrownonSisubstrates,Appl.Phys.Lett.87/9(2005)093110.(SCI)16.F.Z.Wang,Z.Z.Ye,D.W.Ma*etal.,Synthesisandcharacterizationofquasi-alignedZnCdOnanorods,Appl.Phys.Lett.87/14(2005)143101.(SCI)17.F.Zhuge,L.P.Zhu,Z.Z.Ye,D.W.Ma*etal.,ZnOp-nhomojunctionsandohmiccontactstoAl-N-co-dopedp-typeZnO,Appl.Phys.Lett.87/9(2005)092103.(SCI)18.F.Z.Wang,Z.Z.Ye,D.W.Ma*etal.,Formationofquasi-alignedZnCdOnanorodsandnanoneedles,J.Cryst.Growth283/3-4(2005)373.(SCI)19.F.Z.Wang,Z.Z.Ye,D.W.Ma*etal.,RapidsynthesisandphotoluminescenceofnovelZnOnanotetrapods,J.Cryst.Growth274/3-4(2005)447.(SCI)20.F.Z.Wang,Z.Z.Ye,D.W.Ma*etal.,NovelmorphologiesofZnOnanotetrapods,Mater.Lett.59/5(2005)560.(SCI)21.L.L.Chen,Z.Z.Ye,D.W.Ma*etal.,InfluenceofAr/O2gasratiosonthecrystalqualityandbandgapofZn1-xCdxOthinfilms,J.Cryst.Growth274/3-4(2005)458.(SCI)22.Z.H.Zhang,Z.Z.Ye,D.W.Ma*etal.,Preparationandcharacteristicofp-typeZnOfilmsbyAl-Ncodopingtechnique,Mater.Lett.59/22(2005)2732.(SCI)23.H.M.Lu,Z.Z.Ye,D.W.Ma*etal.,MicrostructureofternaryZn1-xCdxOfilmsonsiliconsubstrate,Trans.NonferrousMet.Soc.China15/1(2005)135.(SCI)24.马德伟*、乔山、张新夷、封东来，DesignoftheVUVBeamlineforARPESStudiesatSSRF，光学精密工程，15/12(2007)1844。(EI)25.马德伟*等，直流反应磁控溅射Zn1-xCdxO薄膜的研究，半导体学报，24(2003)1053。(EI)26．江慧绿、程成、马德伟*，PbSe量子点掺杂玻璃的制备及表征，光电子?激光，22(2011)872.(EI)27．程成、江慧绿、马德伟*，熔融法制备PbSe量子点钠硼铝硅酸盐玻璃,光学学报,31(2011)0216005.(EI)28.程成、王孙德、马德伟*，PMMA基底CdSe量子点光纤材料的制备及其光谱，光学学报,31/3(2011)0316002.(EI)29.许周速、程成、马德伟*，较高浓度PbSe量子点硅酸盐玻璃的制备及光学表征，光学学报，32/9(2012)0916002.(EI)专利：1.[中国发明专利]马德伟*，Bi3Se4纳米带及其作为热电材料的应用，申请号：201310049167.2，申请日：2013.2.7。2.[中国发明专利]马德伟*、程成、严金华，一种致密PbSe多晶薄膜的简单制备方法，专利号：ZL201010197178.1，授权日：2012.5.16。3.[中国发明专利]马德伟*，程成，一种量子点光纤纤芯的制备方法，专利号：ZL200810163249.9，授权日：2010.8.11。4.[中国发明专利]叶志镇、马德伟*、黄靖云、赵炳辉，一种用于发蓝光器件的晶体薄膜的制备方法，专利号：ZL03116011.5，授权日：2005.6.22。5.[实用新型专利]叶志镇、黄靖云、马德伟*、赵炳辉，ZnO基异质结发光二极管，专利号：ZL02266540.4，授权日：2003.7.30。