鄢波

工作部门:理学院\应用物理系
性别:男
技术职称:高校副教授
最高学位:博士
民族:汉族
籍贯:湖北宣恩县

鄢波，博士,副教授/硕士生导师Email：boyan@zjut.edu.cn电话：0571-85290327地址：杭州西湖区留和路288号浙江工业大学理学A楼-306室邮编：310023基本背景：2005年12月南京大学物理系固体电子与微电子专业研究生毕业，获博士学位。从事半导体微纳电子学研究，曾参与国家基础研究重大规划(“973计划”，批准号：2001CB309505)，国家高技术研究计划（“863计划”，批准号：2003AA302740）以及多项国家自然科学基金（批准号：60225014,60390074,和60206001）等课题研究工作。2005年12月至2007年10月赴荷兰Delft技术大学DIMES研究所博士后研究。并短期赴德国、比利时、法国、香港等多个国家和地区参加国际会议和学术交流。2008年6月至今在浙江工业大学从事教学和科研工作。在国际期刊上发表了数十篇SCI、EI论文，并在国内外学术会议上发表数篇论文。承担教学工作：面向应物、光信专业本科生：《材料物理》,《科技英语》；面向大学理工科专业本科生：《大学物理》,《大学物理实验》；科研工作：研究领域：半导体光电子技术；研究兴趣：半导体光电材料与器件,光电传感与及有源与无源器件的研究科研项目：浙江省自然科学基金项目：基于II-VI族半导体异质纳米阵列光学生物传感器的研究（批准号：Y4090599），负责人横向课题：重质碳酸钙基长余辉荧光材料的开发，负责人荣誉：浙江工业大学校级优秀班主任（2010年）近年来发表的主要学术论文：1．C.H.Sui,X.Cai,B.Yan*,“FRET-BasedOpticalBiosensorBasedonZnONanorodsArrays”,Proc.ofIEEE,InternationalNanoelectronicsConference(INEC2010)Jan.Hongkong,20102．B.Yan*,H.T.M.Pham,M.Yue,Y.Zhuang,andP.M.Sarro,“Fabricationofin-situultra-thinanodicaluminumoxidelayersfornanostructuringonsiliconsubstrate”,AppliedPhysicsLetters2007,91:053117-1~3（SCI、EI）3．B.Yan*,Y.Shi,L.Pu,J.M.Zhu,K.J.Zhang,G.B.Ma,P.Han,R.Zhang,andY.D.Zheng,“Ge-dots/SimultilayeredstructuresthroughNi-inducedlateralcrystallization”,AppliedPhysicsLetters2006,88:263110-1~3(SCI、EI)4．B.Yan*,Y.Shi,L.Pu,K.J.Zhang,P.Han,R.Zhang,andY.D.Zheng,“NiinducedlateralcrystallizationofhighdensityGe-dots/Siheterostructures”,MaterialsLetters2007,61:3711-3714(SCI、EI)5．Y.Shi,B.Yan*,L.PuK.J.Zhang,P.Han,R.Zhang,andY.D.Zheng,“Ge/SiheterostructureswithquantumdotsfabricatedbyNi-inducedlateralcrystallization”,PhysicaStatusSolidia2006,203:776-780(SCI、EI)6．鄢波*施毅张匡吉濮林韩平张荣郑有炓，”金属Ni横向诱导晶化Ge纳米点/非晶Si多层异质薄膜的特性研究”，半导体学报，2006,27:712-716(EI)7．B.Yan*,V.Vespini,H.T.M.Pham,H.SchellevisandP.M.Sarro,“FabricationofPorousAnodicAluminumOxideTemplatesandPatternTransfer”,Proc.SAFE,Veldhoven,TheNetherlands,Nov.20068．Y.Zhang,B.Yan*,K.J.Zhang,M.H.Ye,Z.Zuo,Y.Shi,L.Pu,P.HanandY.D.Zheng“MicrostructuresofGe-dots/SimultilayeredstructuresfabricatedbyNi-inducedlateralcrystallization”,Proc.ofIEEE,8thInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology(ICSICT)Oct.Shanghai,2006(EI)9．B.Yan*,Y.Shi,L.Pu,J.M.Zhu,P.Han,S.L.Gu,B.ShenandY.D.Zheng,“High-desityGedotsgrownonSiSubstratebymodifiedS-Kmethod”,Proc.ofIEEE,the7thInternationalConferenceonSolid-StateandIntegrated-CircuitTechnology,(ICSICT)Beijing,Oct.2004(EI)