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钟础宇，浙江大学信息与电子工程学院博士后。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所凝聚态物理博士，武汉大学理论物理学士。
目前主要兴趣为硫基光电子技术及其在中红外光调制探测、单分子传感及超表面成像，二维材料新型光场调控器件，可重构光子器件等。
以往工作：
博士期间从事GaAs基的垂直腔面表面发射激光器（VCSEL）的研究工作。主要工作包括：
1.高温工作芯片级原子钟用795nm、894nm VCSEL的制备及测试，实现了小于0.5mA的阈值电流，单模功率达到1mW；
2.集成表面光栅的稳定单偏振894nm VCSEL器件制备及测试，表面光栅参数模拟，表面光栅VCSEL器件的偏振模式阈值增益模拟，实现了18dB的垂直偏振功率比（OPSR）；
3.不规则台面分布VCSEL阵列的三维热电模拟，器件测试，发现了台面分布形状能影响VCSEL阵列的热稳定性，并对圆形VCSEL阵列的台面排布方式进行优化设计；
4.少数横模独立控制出射的VCSEL器件的电流分布模拟，器件设计，制备与测试，实现了用不同的独立电极控制不同的单个模式输出，有望用于模式复用
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2021-01-25 07:38:24
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钟础宇，浙江大学信息与电子工程学院博士后。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所凝聚态物理博士，武汉大学理论物理学士。
目前主要兴趣为硫基光电子技术及其在中红外光调制探测、单分子传感及超表面成像，二维材料新型光场调控器件，可重构光子器件等。
以往工作：
博士期间从事GaAs基的垂直腔面表面发射激光器（VCSEL）的研究工作。主要工作包括：
1.高温工作芯片级原子钟用795nm、894nm VCSEL的制备及测试，实现了小于0.5mA的阈值电流，单模功率达到1mW；
2.集成表面光栅的稳定单偏振894nm VCSEL器件制备及测试，表面光栅参数模拟，表面光栅VCSEL器件的偏振模式阈值增益模拟，实现了18dB的垂直偏振功率比（OPSR）；
3.不规则台面分布VCSEL阵列的三维热电模拟，器件测试，发现了台面分布形状能影响VCSEL阵列的热稳定性，并对圆形VCSEL阵列的台面排布方式进行优化设计；
4.少数横模独立控制出射的VCSEL器件的电流分布模拟，器件设计，制备与测试，实现了用不同的独立电极控制不同的单个模式输出，有望用于模式复用
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