佘小健
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欢迎物理、光电、材料等专业背景的同学加入课题组攻读硕士、博士学位，期间可以获得资助赴剑桥大学、东京大学交流访问。
籍贯江苏，在苏州大学获得物理学学士和硕士学位，在英国剑桥大学（卡文迪许实验室)获得物理学博士学位(师从英国皇家科学院院士Henning Sirringhaus),后任剑桥大学（卡文迪许实验室)访问研究员。2020年入选浙江大学“****”海外高层次人才系列，加入浙江大学光电科学与工程学院，Tenure-track Professor、Principle Investigator，同时被邀请为日本东京大学(产业技术研究院)客座协力研究员。
在基于有机半导体及有机无机杂化半导体的场效应光电器件研究领域发表14余篇论文于Nature Electronics、Nature Photonics、Advanced Materials、Organic Electronics、ACS Applied Materials & Interfaces、Applied Physics Letters等期刊。担任多家学术期刊审稿人。
现研究方向：场效应逻辑光电器件、半导体器件与物理、集成柔性光电应用等。
个人主页：https:\/\/person.zju.edu.cn\/xjshe
主要学术贡献：
设计了基于开尔文显微镜的新型离子移动测量方法区别不同类别的离子移动，研究并解释了钙钛矿场效应晶体管(PFET)工作不稳定的机理；发明了一种多步溶液处理法抑制离子移动并去除界面缺陷态结构(重铸界面的钙钛矿晶体结构)，为解决“界面离子迁移导致PFET场效应失效”的问题提供首次实验思路，制备的PFET器件具备可靠的晶体管场效应调控和较好的持续工作状态，传输界面载流子迁移率(室温下)从0.0017cm²\/Vs提升至4.2cm²\/Vs，低温下(80K)从0.13cm²\/Vs提升至10.6cm²\/Vs。相关工作发表于Nature Electronics[1]在“制备高迁移率\/稳定场效应PFET”难题上取得了突破，对PFET研究领域的重要性被评论报道[2]。
发明了新型垂直结构有机晶体管存储器，将栅控制域尺寸缩小至两百纳米内，同时在保证隧穿界面上双极性电荷高速积累的情况下让器件维持单极性电流电压工作特性。该结构存储器实现了高速编程在150纳秒内完成(传统器件需百微秒以上)。相关工作发表于Advanced Materials[3]，为新一代高性能柔性存储器，高灵敏度传感器及高敏感度人工皮肤等应用提供新器件方案。
链接：
1. Xiao-Jian She, et al. A solvent-based surface cleaning and passivation technique for suppressing ionic defects in high-mobility perovskite field-effect transistors. Nature Electronics (2020). https:\/\/doi.org\/10.1038\/s41928-020-00486-5
2. Huihui Zhu, et al. Perovskite transistors clean up their act. Nature Electronics (2020).https:\/\/doi.org\/10.1038\/s41928-020-00470-z
3. Xiao-Jian She, et al. A vertical organic transistor architecture for fast nonvolatile memory. Advanced Materials (2016). https:\/\/doi.org\/10.1002\/adma.


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2020-12-29 16:43:49
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欢迎物理、光电、材料等专业背景的同学加入课题组攻读硕士、博士学位，期间可以获得资助赴剑桥大学、东京大学交流访问。
籍贯江苏，在苏州大学获得物理学学士和硕士学位，在英国剑桥大学（卡文迪许实验室)获得物理学博士学位(师从英国皇家科学院院士Henning Sirringhaus),后任剑桥大学（卡文迪许实验室)访问研究员。2020年入选浙江大学“****”海外高层次人才系列，加入浙江大学光电科学与工程学院，Tenure-track Professor、Principle Investigator，同时被邀请为日本东京大学(产业技术研究院)客座协力研究员。
在基于有机半导体及有机无机杂化半导体的场效应光电器件研究领域发表14余篇论文于Nature Electronics、Nature Photonics、Advanced Materials、Organic Electronics、ACS Applied Materials & Interfaces、Applied Physics Letters等期刊。担任多家学术期刊审稿人。
现研究方向：场效应逻辑光电器件、半导体器件与物理、集成柔性光电应用等。
个人主页：https:\/\/person.zju.edu.cn\/xjshe
主要学术贡献：
设计了基于开尔文显微镜的新型离子移动测量方法区别不同类别的离子移动，研究并解释了钙钛矿场效应晶体管(PFET)工作不稳定的机理；发明了一种多步溶液处理法抑制离子移动并去除界面缺陷态结构(重铸界面的钙钛矿晶体结构)，为解决“界面离子迁移导致PFET场效应失效”的问题提供首次实验思路，制备的PFET器件具备可靠的晶体管场效应调控和较好的持续工作状态，传输界面载流子迁移率(室温下)从0.0017cm²\/Vs提升至4.2cm²\/Vs，低温下(80K)从0.13cm²\/Vs提升至10.6cm²\/Vs。相关工作发表于Nature Electronics[1]在“制备高迁移率\/稳定场效应PFET”难题上取得了突破，对PFET研究领域的重要性被评论报道[2]。
发明了新型垂直结构有机晶体管存储器，将栅控制域尺寸缩小至两百纳米内，同时在保证隧穿界面上双极性电荷高速积累的情况下让器件维持单极性电流电压工作特性。该结构存储器实现了高速编程在150纳秒内完成(传统器件需百微秒以上)。相关工作发表于Advanced Materials[3]，为新一代高性能柔性存储器，高灵敏度传感器及高敏感度人工皮肤等应用提供新器件方案。
链接：
1. Xiao-Jian She, et al. A solvent-based surface cleaning and passivation technique for suppressing ionic defects in high-mobility perovskite field-effect transistors. Nature Electronics (2020). https:\/\/doi.org\/10.1038\/s41928-020-00486-5
2. Huihui Zhu, et al. Perovskite transistors clean up their act. Nature Electronics (2020).https:\/\/doi.org\/10.1038\/s41928-020-00470-z
3. Xiao-Jian She, et al. A vertical organic transistor architecture for fast nonvolatile memory. Advanced Materials (2016). https:\/\/doi.org\/10.1002\/adma.


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