姓名：崔灿　
　　性别：男　
　　职称：副教授　
　　所在学院：理学院　

　　个人简介：
　　崔灿，副教授、博士、硕士生导师。
　　1997.09~2001.06 浙江大学 物理学专业 本科
　　2001.09~2006.06 浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程专业 博士
　　2006.06~2007.09 浙江理工大学 理学院 讲师
　　2008.01~2009.09 日本东北大学（Tohoku Univ.）金属材料研究所/国立物质材料研究所（NIMS） COE研究员
　　2010.06~2010.8 日本国立物质材料研究所（NIMS） 访问学者
　　2007.09~至今 浙江理工大学 理学院 副教授

　　主讲课程
　　《光电新材料导论》、《表面物理分析技术》和《光电材料与应用》

　　主要研究方向
　　方向1：半导体材料与器件
　　硅材料的制备、杂质和缺陷，以及硅材料在太阳电池和集成电路中的应用；纳米半导体材料的制备和光伏、光催化性质
　　方向2：准晶材料制备和物性
　　单准晶材料的制备，物性和表面性质研究。

　　科研项目
　　1．国家自然科学基金项目，Ag-In-Yb正二十面体准晶单晶的表面结构和异质薄膜生长，11074220，42万，2011.01~2013.12，排名1
　　2．国家自然科学基金项目，阵列化半导体量子点的制备及其在太阳电池中的应用60806045，20万，2009.01~2011.12，排名1
　　3．浙江省自然科学基金，大块Ag-In-Yb准晶单晶及其近似相单晶的制备和物理性质研究，Y4100310，8万，2010.06~2013.06，排名1
　　4．国家自然科学基金项目，成分连续变化薄膜技术与相图快速测定研究 50672088，30万，2007.01~2009.12，排名2
　　5．国家自然科学基金项目，微锗掺杂直拉硅单晶氧和微缺陷的研究 50572094，27万，2006.01~2008.12，排名6
　　6．浙江理工大学科研启动项目，中子辐照对直拉硅单晶中氧沉淀及内吸杂的影响，2万，2007.1-2008.12，排名1
　　7．横向合作项目，低应力单晶硅及硅片的研究和开发，40万，2006.12-2007.4，排名3

　　代表性论文
　　1．Can Cui, and An Pang Tsai, Growth of large single-grain quasicrystals in the Ag-In-Yb system by Bridgman method, Journal of Crystal Growth, 312 (2010) 131-135.
　　2．Can Cui, Xiangyang Ma, Deren Yang, Enhanced oxygen precipitation in neutron-irradiated nitrogen-doped Czochralski silicon crystal, J. Appl. Phys., 104 (2008) 123523.
　　3．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, and Ming Li, Oxygen precipitation in Czochralski silicon: Effect of ramped anneal from 300 to 750 C, J. Appl. Phys., 103 (2008) 064911.
　　4．Can Cui, Xiangyang Ma, Deren Yang, Enhanced oxygen diffusion in Czochralski silicon at 450-650 C, Phys. Stat. Sol. (a), 205 (2008) 1148-1151.
　　5．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, and Duanlin Que, Effect of nitrogen doping on oxygen precipitates profiles in Czochralski silicon wafer, Jpn. J. Appl. Phys., 45 (2006) 4903-4907.
　　6．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ruixin Fan, and Duanlin Que, Effect of annealing atmosphere on oxygen precipitation and formation of denuded zone in Czochralski silicon wafer, Phys. Stat. Sol. (a), 203 (2006) 2370-2375.
　　7．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ming Li, and Duanlin Que, Effect of light germanium-doping on thermal gonors in Czochralski silicon wafers, Materials Science in Semiconductor Proceeding, 9 (2006) 110-113. 　　
　　8．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ruixin Fan, Duanlin Que, Effect of nitrogen doping on denuded zone formed by rapid thermal process in Czochralski silicon wafer, Physica B, 376-377 (2006) 216-219.
　　9．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Liming Fu, Ruixin Fan, and Duanlin Que, Oxygen precipitation within denuded zone founded by rapid thermal processing in Czochralski silicon wafers, Chinese Physics Letter, 9 (2005) 2407-2410
　　10．Can Cui, Deren Yang, Xiangyang Ma, Ruixin Fan, and Duanlin Que, Oxygen precipitation in neutron-irradiated Czochralski silicon annealed at elevated temperature, Phys.Stat.Sol. (a), 202(13) (2005) 2442-2447
　　11．Can Cui, Deren Yang, Xuegong Yu, Xiangyang Ma, Liben Li, and Duanlin Que, Effect of nitrogen on denuded zone in Czochralski silicon wafer, Semiconductor Science and Technology, 19 (2004) 548-551
　　12．Can Cui, Deren Yang, Xuegong Yu, Xiangyang Ma, Liben Li, and Duanlin Que, Effect of nitrogen doping on the minority carrier lifetime in Czochralski silicon, Microelectronic Engineering, 66 (2003) 373-378。

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