报告题目：金属性半导体纳米材料的合成与应用
时 间：5月4日（周五）下午3:00
地 点：仰仪南楼207-2
报告摘要：
三氧化钨、三氧化钼等传统半导体材料在催化、传感、光电转化领域具有非常重要的应用价值，但是由于其较大的能带间隙，其应用范围的扩展受到阻碍。最近发现，通过引入氧空位缺陷，可以使这些传统的半导体材料具有金属性，大大提高了其自由电子密度，增加了表面反应活性位点。通过这种思路制备出的W18O49超细纳米线、MoO2纳米片等纳米材料具有从可见到近红外的宽光谱吸收特性，显示出较好的光催化二氧化碳还原的能力；利用这些氧空位的弱还原能力，还可以在半导体表面原位地生长超细金属纳米粒子，避免了引入外来的还原剂和保护剂；金属性的二氧化钼在可见光区具有强烈的局域等离子体共振(LSPR)效应，利用这种SPR效应，组装出的二氧化钼表面增强拉曼光谱（SERS）芯片显示出高增强因子和超低的检出限，并且表现出了优秀的化学、热稳定性。这些研究结果表明，通过设计合成氧空位缺陷型的半导体纳米材料，可以调控其能带间隙、自由电子密度、表面活性位点密度，开启新的应用领域。　
　　报告人简介：
　　席广成，2007 年获得中国科学技术大学无机化学专业博士学位，2009-2011 年在日本国立材料研究所从事博士后研究工作。现任中国检验检疫科学研究院工业与消费品安全研究所副所长, 国家质检总局纳米材料与产品检测研究中心副主任。长期从事纳米材料的结构表征、标准化及其在有害物质检测中的应用基础研究。近五年来，主持国家重大研发项目1项，完成国家自然科学基金项目2项、质检公益科研专项1项、质检总局科研项目2项。完成国家标准 6 项, 获得省部级科技进步奖励 5项，获得发明专利授权10 项，在Nature Communications, Journal of American Chemistry Society, Angew Chemistry, Analytical Chemistry 等刊物上发表论文70 余篇，他引5000余次。　　
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机电工程学院
2018年4月24日