韦文生教师简介 一、 个人基本情况： 姓 名： 韦文生 性 别： 男 出生年月： 1966.10民 族： 汉族 职称职务： 教授 政治面貌： 中共党员 最后学历： 博士研究生最高学位： 工学博士 工作单位： 温州大学电气与电子工程学院电气工程系 通信地址： 浙江省温州市茶山高教园区温州大学南校区 1 号楼 A 座 302 室邮政编码： 325035 电 话： 0577-86689010 E—Mail ：weiwensheng@wzu.edu.cn 二、 从事研究的专业领域及主要研究方向 研究的专业领域： （1）电力电子技术；（2）信息信号处理。 主要研究方向： （1）宽带隙半导体材料及电力电子器件； （2）电气检测与光机电一体化； （3）分布式新能源电力技术。 三、 主要工作经历 1984.09—1988.07：华中师范大学，物理学，全日制本科生/学士学位； 1999.09—2004.07：北京航空航天大学，材料学，全日制硕-博连读研究生，工学博士； 2004.05—2010.11：温州大学，副教授； 2010.12—至今： 温州大学，教授。 1 四、 近年来主持的主要教学科研项目 [1] 纳米晶碳化硅/纳米晶硅基异质结的制备及微波特性，国家自然科学基金面上项目(No. 61774112，2018.01—2021.12，63.0 万元，主持)； [2] 梯度掺杂纳米晶碳化硅/晶体碳化硅双缓变结的反向软恢复特性，国家自然科学基金面上项目(No. 61274006，2013.01—2016.12，82.0 万元，主持)； [3] 信息与通信实验教学平台, 中央财政支持地方高校发展专项资金 2013.06— 2015.06，100.0 万元，主持)； 五、 近年完成的主要教学科研成果目录（含论文、课题、科研获奖、教学成果） （一）代表性指导学生获奖 [1] 华星团队(吴晓华、曲金星)获得“兆易创新杯”第十五届中国研究生电子设计竞赛全国总决赛技术类竞赛二等奖、华东赛区一等奖，2020.08； [2] “兆易创新杯”第十五届中国研究生电子设计竞赛华东赛区优秀指导教师， 2020.08。 （二）代表性教学论文、教材 [1] 何明昌，韦文生，构建高效 SPOC 教学平台助力大学生创业[J]，实验室研究与探索，Vol. 38, No. 5 (2019): 190-194+199. [2] 吕菲，韦文生，雷敏，傅佳佳，基于波分复用光纤传输的通信系统实验[J]，实验室研究与探索，Vol. 35, No. 3 (2016): 41-45. [3] 李昌，李兴，韦文生，古发辉，阮秀凯，数据通信与 IP 网络技术(教材)，人民邮电出版社，2016 年 8 月； [4] 高吉祥，高广珠，陈和平，韦文生，高频电子线路(教材)，高等教育出版社， 2016 年 6 月； [5] 阮秀凯，崔桂华，张有光，韦文生，蔡启博，现代多媒体通信技术(教材)，清华大学出版社，2018.05。 （三）代表性学术论文 [1] Junding Zheng, Wensheng Wei@, Weibo Yang, Chang Li, Optimal Design of Large Signal and Noise Performance of GaN/SiC Hetero-Structural IMPATT Diodes Based on QCDD Model [J], Materials Science Forum, Vol. 1014, No. 11 (2020): 68-74. [2] Mingchang He, Lixia Hu, Junding Zheng, Wensheng Wei@, Hailin Xiao, Jianzhu Ye, Guanjun Qiao, Effect of tunneling on small signal characteristics of IMPATT diodes with SiC heteropolytype structures [J], Materials Science Forum, Vol. 954, No. 1 (2019): 176-181. 2 [3] Junding Zheng, Wensheng Wei@, Chunxi Zhang, Mingchang He, Chang Li. Diodes of Nanocrystalline SiC on n-/n+-type Epitaxial Crystalline 6H-SiC [J], Applied Surface Science, Vol. 435, No. 1 (2018): 265-270. [4] Wensheng Wei@, Lulu Liu, Chunxi Zhang, Jianzhu Ye, (p+)Nanocrystalline/(n-) Crystalline/(n+)Nanocrystalline Si Fast Recovery Diode with (p+)Nanocrystalline SiC Inserted in Cathode Junction [J], Surface and Coatings Technology, Vol. 320, No. 5 (2017): 178-182. [5] Wensheng Wei@, Fei Luo, Chunxi Zhang, Qi Shen, Detection of Reverse Recovery Characteristics of Power Diodes [J], IET Power Electronics, Vol. 9, No. 3 (2016): 476-481. [6] Wensheng Wei@, Chunxi Zhang, p+-n--n+ type Power Diode with Crystalline/ Nanocrystalline Si Mosaic Electrodes [J], Journal of Semiconductors, Vol. 37, No. 6 (2016): 064007-1-6. [7] Wensheng Wei@, Jing Li, Shaoyun Zhao, Numerical analysis on reverse recovery characteristics of 4H-SiC p+-n--n+ power diode with injection conditions [J], Applied Physics A, Vol.118, No. 11 (2015): 1387-1398. [8] Wensheng Wei@, Qiubo Zhang, Shaoyun Zhao, Yaoju Zhang, Two intermediate- bands solar cells of InGaN/InN quantum dot supracrystals [J], Applied Physics A, Vol.116, No. 2 (2014): 1009-1016. [9] Wensheng Wei@, Feng Shan, Shaoyun Zhao, Qiubo Zhang, Performance Comparison for Different Material Quantum Dot Single Intermediate Band Solar Cells [J], Applied Mechanics and Materials, Vol. 477-478, No.12 (2014): 404-411. [10] Qiubo Zhang, Wensheng Wei@, Single intermediate band solar cells of InGaN/InN quantum dot supracrystals [J], Applied Physics A, Vol.113, No.7 (2013): 75-82. [11] Qiubo Zhang, Wensheng Wei@, Feng Shan. Analysis on micro-/poly-crystalline SiGe alloy solar cell [J]. Advanced Materials Research, Vol. 690, No.5 (2013): 2872-2880. [12] Feng Shan, Wensheng Wei@, Design and simulation of a-Si:H/nc-Si:H tandem solar cells [J], Advanced Materials Research, Vol. 382, No. 11 (2012): 100-105. [13] Wensheng Wei@, Jianling Su, Congliang Zhang, Liang Chu, Tianmin Wang, Structural effect on intrinsic stress in nanocrystalline Si:H films [J], VACUUM, Vol. 86, No. 2 (2011): 151-155. [14] Wensheng Wei@, Detection of carrier information in heterojunctions of nanocrystalline/crystalline Si [J], Solid State Sciences, Vol. 12 (2010): 789-794. [15] Wensheng Wei@, Xunlei Yan, Dependence of solar cell performances on Si:H nanostructure [J], Applied Physics A, Vol. 97, No.7 (2009): 895-903. [16] Wensheng Wei@, Xunlei Yan, Structural characterization of boron doped hydrogenated nanocrystalline silicon films [J], VACUUM, Vol. 83, No. 5 (2009): 3 787-791. [17] Wensheng Wei@, Xunlei Yan, Tianmin Wang, One-dimensional self-consistent solution of modulation doped nanocrystalline/crystalline Si heterojunctions [J], Superlattice & microstructures, Vol. 45, No. 6 (2009): 547-554. [18] Wensheng Wei@, Mechanical stress sensor of (n+)nanocrystalline/(p+)crystalline Si heterojunction [J], Solid State Sciences, Vol. 10, No. 9 (2008): 1222-1227. [19] Wensheng Wei@, Ningning Zhao, Tianmin Wang, Conduction behavior of hydrogenated nanocrystalline silicon backward diode [J], Nanotechnology, Vol. 18, No.2 (2007): 025203-1-5. [20] Wensheng Wei@, Tianmin Wang, Yuliang He, Investigation on high mobility nanocrystalline Si with crystalline Si heterostructure [J], Superlattices & microstructures, Vol. 41, No. 4 (2007): 216-226. （四）代表性发明专利 [1] 韦文生，太赫兹渡越时间器件开关瞬态电流波形及参数测量装置，授权发明专利，申请号：ZL201910968079.X，2020.09.29。 [2] 韦文生，一种太赫兹渡越时间器件半正弦电流脉冲可靠性试验装置，授权发明专利，专利号：ZL201911245889.9，2020.09.29。 [3] 韦文生，郑君鼎，俞珠颖，GaN/SiC 异质结侧向型光控 IMPATT 二极管及其制备方法，授权发明专利，专利号：ZL201811390602.7，2020.04.14。 [4] 韦文生，胡丽霞，评估 SiC 同质异构结 IMPATT 二极管性能的方法，授权发明专利，专利号：ZL201810602317.0，2020.01.17。 [5] 韦文生，林宇豪，一种 SiC/Si 异质结侧向型光敏 IMPATT 二极管及其制备方法，授权发明专利，专利号：ZL 201811390240.1，2020.01.14。 [6] 何明昌，韦文生，沈雨冰，GaN/Si 异质结侧向型光控 IMPATT 二极管及其制备方法，授权发明专利，专利号：ZL201811390568.3，2019.11.15。 [7] 韦文生，侯旭波，一种二端渡越时间器件稳态参数测量装置，授权发明专利，专利号：ZL201810528082.5，2019.08.30。 [8] 韦文生，罗飞，一种基于反向恢复时间筛选二极管的装置，授权发明专利，专利号：ZL201610149876.1，2017.07.18，已转让。 [9] 韦文生，罗飞，吴宇栋，一种晶闸管四象限触发特性参数测试装置，授权发明专利，专利号：ZL201610446215.5，2017.07.18，已转让。 [10]韦文生，赵少云，一种自动分拣二极管的装置及方法，授权发明专利，专利号：ZL201610149851.1，2017.05.17，已转让。 [11]韦文生，罗飞，蔡斌，应柯杰，一种功率二极管正向动态电阻测试装置，授权发明专利，专利号：ZL201610450072.5，2017.05.17，已转让。 [12]韦文生，罗飞，葛文峰，一种功率二极管反向击穿电压分级测试装置，授权 4 发明专利，专利号：ZL201610443741.6，2017.04.12，已转让。 [13]韦文生，罗飞，一种多标准二极管反向恢复时间测试装置，授权发明专利，专利号：ZL201610149554.7，2017.02.22，已转让。 [14]韦文生，阴极结嵌入 P+型纳米碳化硅的纳米硅/晶体硅/纳米硅二极管，授权发明专利，专利号：ZL201510725968.5，2016.08.24，已转让。 [15]韦文生，罗飞，沈琦，一种半导体功率器件瞬态热阻测试装置及方法，授权发明专利，专利号：ZL201510458374.2，2016.08.17，已转让。 [16]韦文生，罗飞，数字化大功率微波二极管反向动态波形及损耗功率测试系统，授权发明专利，专利号：ZL201410565844.0，2016.04.27，已转让。 [17]韦文生，制备 SiC 超快恢复二极管及工艺，授权发明专利，专利号： ZL201410427072.4，2016.03.30，已转让。 [18]韦文生，纳米晶嵌入单晶外延碳化硅的高稳定低损耗微波二极管，授权发明专利，专利号：ZL201510025277.4，2016.03.30，已转让。 [19]韦文生，夏鹏，蒋佩兰，罗飞，二极管正向恢复参数综合测试分析平台，授权发明专利，专利号：ZL201410401893.0，2015.09.02，已转让。 [20]韦文生，沈琦，夏鹏，一种用于抵制二极管内反向恢复电荷的系统，授权发明专利，专利号：ZL201410128200.5，2015.06.03，已转让。 [21]韦文生，纳米碳化硅/晶体碳化硅双缓变结快速恢复二极管及其制备方法，授权发明专利，专利号：ZL201210329426.2，2014.11.05，已转让。 [22]韦文生，一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器，授权发明专利，专利号：ZL200810020042.6，2010.09.29。 （五）代表性研制仪器 5 六、 研究生培养情况 已培养研究生 13 名，目前指导在读研究生 1 名。 （2020 年 12 月更新） 6