郭炜 博士 , 研究员，博士生导师
研究方向：
1.第三代半导体材料与器件
2.功能薄膜，新型纳米结构与光电特性
3.半导体设备开发
电子邮箱：guowei@nimte.ac.cn

郭炜研究员2010年本科毕业于上海交通大学，2014年博士毕业于美国北卡罗来纳州立大学宽禁带实验室，师从宽禁带半导体领域知名教授Zlatko Sitar。2015年2月加入全球最大的半导体设备供应商应用材料有限公司任研发工程师，2016年加入中科院宁波材料所，任首批“特聘青年研究员”，目前为中科院宁波材料所项目研究员、博士生导师。2016年来主持科技部重点研发计划（子课题）、国家自然科学基金面上基金、青年基金、中科院装备项目、宁波市“科技创新2025”重大专项等课题，参与浙江省重点研发计划等多项课题。
长期从事第三代半导体（氮化物）材料与器件的研究，尤其专注于氮化镓紫外发光二极管（UV-LED）领域十余年，在AlGaN 材料的MOCVD 外延、GaN/AlGaN 电子电力器件取得了多项领域领先的成果，例如紫外LED内量子效率达到全球最高水平之一，首次在领域内提出“横向极性结构”并应用至LED、探测器及电子器件，从而为新型第三代半导体器件在杀菌消毒、紫外预警、新能源汽车和5G通讯领域的应用提供了新的思路。在领域知名SCI 期刊发表论文50余篇，论文引用超过1000 余次，申请中国发明专利10余项，授权6项。应邀在多个国际会议和学术机构作邀请报告。郭博士目前是中国科学院青年创新促进会会员，并获得了浙江省钱江人才称号、宁波市“3315 创新团队计划”人才称号、宁波市镇海区引进高层次人才称号等荣誉称号。
研究成果