氧化镓作为新一代宽禁带半导体，以其超宽带隙、超高耐压、具有高丰度（中国镓储量全球第一）等优异特性，引起了人们的广泛关注。氧化镓基材料和器件在高耐压、低损耗功率半导体元件、深紫外探测器等领域展示出了诱人的应用前景和市场前景，符合第三代半导体的总体路线图和发展规划。夏长泰研究员用诙谐的语言和生动的比喻把大家带入了超宽禁带半导体的世界。他在总结氧化镓半导体材料研究现状的基础上，重点介绍了实现氧化镓晶体电学性能调控的新掺杂方案，并与现有掺杂方案进行了对比，最后就其应用前景进行了分析，并指出我国在氧化镓材料和器件的研发方面已落后于美日等国，强烈呼吁我国更多的科研工作者来参与相关研究。
报告结束后，夏长泰一一回答了大家的提问，并与科研人员们就氧化镓晶体材料的生长机制和氧化镓材料的应用前景等方面的问题展开了深入探讨，并期待与宁波材料所有进一步的实质性合作。
夏长泰研究员从事科研工作20余年，涉及晶体、纳米材料、薄膜及陶瓷等领域，领导的研究团队从我国国民经济需求出发，立足于半导体照明新光源材料领域的国际前沿，取得了一系列创新性的学术成绩。在中国科学院引进国外杰出人才计划等的支持下，开展了“LED光源新衬底及荧光材料”的研究，并拓展到超宽禁带半导体晶体。他是我国氧化镓晶体材料研究的先行者，相关工作受到了国内外同行的关注。2004年起，在国内最早关注氧化镓晶体材料、并进行实质研究。相关研究工作获得了国家自然科学基金委员会和上海市科学技术委员会等国家和地方重要项目的支持。发表学术论文100余篇（其中SCI收录80余篇），他引总计1000余次。多次被邀请在国内外重要学术会议上做邀请报告、担任分会主持。
（图/文：纳米事业部 梁凌燕）
