姓名： 蒋然
性别： 男
职称： 教授
电子邮箱： jiangran@nbu.edu.cn
研究方向： 微电子与固体电子
办公电话：
通讯地址：
职务：


学术型
院系名称 招生级别 一级学科名称 二级学科/方向
信息科学与工程学院 硕/博士 信息与通信工程 信息功能材料与器件


专业学位
院系名称 招生级别 专业学位类别名称 领域名称
信息科学与工程学院 硕士 电子信息 光电信息技术


个人简介
教育背景： 1998-2007 兰州大学 本硕博

工作经历： 2007-2018 山东大学 讲师/副教授
2018-2019 天津大学 教授
2019- 宁波大学 教授
目前从事的主要研究工作： 目前主要从事以下三个方面的研究工作：
1、基于忆阻器的类脑智能模拟
2、传统存储器的工艺和器件优化
3、电磁波调制和信息存储的交叉研究


目前承担的主要科研项目
项目名称 项目来源 项目编号 项目起止时间
利用自身极化作用和非对称性结构诱导场效应实现纳米级自整流的RRAM选通研究
国家自然科学基金/面上项目
**
2018-01;2021-12


主持完成的主要科研项目
项目名称 项目来源 项目起止时间 项目编号 结题日期
局域氧空位分布及其对阻变存储器细丝导通机制的影响研究
国家自然科学基金/面上项目
2014-01;2017-12
**
2017-12

面向大数据存储的阻变存储选通新原理、新结构研究
深圳科创委/攻关项目
2017-01;2019-12
JCYJ20**5685
2019-12


代表性学术论文
题目 发表刊物名称 本人署名情况 发表时间 收录情况
Ferroelectric modulation of terahertz waves with graphene/ultrathin-Si: HfO2/Si structures
Appl. Phys. Lett.
通讯作者
2015-10
SCI二区

Asymmetric-Structure-Induced Self-Rectifying in Nanoscale HfO2-Based RRAM Array
IEEE Transactions on Electron Devices
通讯作者
2019-04
SCI二区

Bipolar plasticity of the synapse transistors based on IGZO channel with HfOxNy/HfO2/HfOxNy sandwich gate dielectrics
Appl. Phys. Lett.
通讯作者
2019-06
SCI二区

Habituation/Fatigue behavior of a synapse memristor based on IGZO–HfO2 thin film
Scientific Reports
第一作者及通讯作者
2017-08
SCI三区

Interfacial growth at the HfO2/Si interface during annealing in oxygen ambient
Semiconductor Science and Technology
第一作者
2009-03
SCI三区


授权发明专利
专利名称 专利号 授权公告日 本人排名
三维立体等离子体显示器件
CN9.3
2010-05-12
其他

可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法
CN7.3
2010-08-04
第三名

二维直印式无掩膜等离子体刻蚀阵列装置
CN6.7
2012-07-11
第三名


主要学术兼职
学术兼职： Scientific Reports编委
山东电子陶瓷专家委员会委员