姓名：段香梅
　　性别：女
　　所在学院：理学院
　　职称：研究员

　　个人简介：
　　1994年于大学毕业后，作为研究生考入安徽大学物理系，1997年获得理论物理理学硕士学位。
　　2000年获得中国科学院固体物理研究所凝聚态物理理学博士学位。2000年起在中国科学院固体物理所任助研研究员，2009年调入宁波大学物理系任研究员。
　　2002年初到2005年四月在意大利材料物理研究院（INFM）－的里亚斯特（Trieste）分所做博士后，之后直到2007年9月作为Research associate在澳大利亚悉尼大学物理系工作。
　　随后至2009年二月在悉尼大学物理系做Research lecture，2009年3月到宁波大学工作。
　　与国内凝聚态相关的研究组保持合作与交流，与美国、意大利、澳大利亚等地的一流研究团体都有良好的合作关系。

　　科研方向：
　　近10余年来一直致力于利用基于密度泛函理论的第一原理计算模拟方法从事体材料及表面的研究，了解学科发展前沿和动向。
　　在杂质与缺陷的研究方面积累了丰富的经验，在表面缺陷及氧化催化方面也有一定的工作积累。
　　研究方向为计算凝聚态物理和计算材料科学。

　　负责项目：现主持国家自然科学基金委面上项目（2011-2013）, 教育部留学回国人员科研基金（2010-2012）和宁波市自然科学基金各一项。
　　学术兼职：现为Applied Surface Science、Nanotechnology、Journal of Physics，Semiconductor Science Technology等国际核心学术期刊的审稿人。
　　学术成果：近年来发表研究论文20余篇，特别是2005年以来，以第一作者身份在国际著名期刊Applied Physics Letters（影响因子>4.0）上发表论文一篇，在Physical Review B（影响因子>3.0）上发表论文七篇。

　　代表性论文：
　　1．X. Duan, O. Warschkow, A. Soon, B. Delley, and C. Stampfl, Density functional study of oxygen on Cu（100） and Cu（110） surfaces, Phys. Rev. B 81, 075430 （2010）
　　2．X. M. Duan, C. Stampfl, M. Bilek, D. McKenzie, Codoping of aluminum and gallium with nitrogen in ZnO: A comparative first-principles investigation，Phys. Rev. B 79, 235208 （2009）
　　3．X. M. Duan and C. Stampfl, Vacancies and interstitials in indium nitride: Vacancy clustering and molecular bondlike formation from first principles，Phys. Rev. B 79,174202 （2009）
　　4．X. M. Duan and C. Stampfl, Defect complexes and cluster doping of InN: First-principles investigations，Phys. Rev. B 79, 035207 （2009）
　　5．X. M. Duan and C. Stampfl, Nitrogen vacancies in InN: Vacancy clustering and metallic bond-like formation from first-principles，Phys. Rev. B 77, 115207 （2008）
　　6．X. Duan, M. Peressi and S. Baroni, Characterizing In and N impurities in GaAs from ab initio computer simulation of （110） cross-sectional STM images，Phys. Rev. B 75, 035338 （2007）
　　7．A. Stroppa, X. Duan and M. Peressi, Computational and experimental imaging of Mn defects on GaAs （110） cross-sectional surfaces，Phys. Rev. B 75, 195335 （2007）
　　8．X. Duan, S. Baroni, S. Modesti, and M. Peressi, Cross-sectional imaging of sharp Si interlayers embedded in gallium arsenide，Appl. Phys. Lett. 88, 022115 （2006）
　　9．X. Duan, M. Peressi and S. Baroni, Ab initio simulation of Si-doped GaAs（110） cross-sectional surfaces，Mater. Sci. and Eng. C 26, 756 （2006）
　　10．X. M. Duan, M. Peressi and S. Baroni, Characterization of Si-doped GaAs cross-sectional surfaces via ab initio simulations，Phys. Rev. B 72, 085341 （2005）

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