基本信息


姓名
陈喆

系、部门
电工电子中心

职称/职务
助理研究员

导师类别
硕士生导师

学位
博士

电话


电子邮箱
chenzhehn@qq.com

办公地点
信自楼626

研究方向
太赫兹功能器件、半导体器件可靠性

个人情况简介

陈喆，2017年7月毕业于北京大学，获理学博士学位，博士期间主要研究方向为新型阻变存储器设计及可靠性研究。2017年7月至2020年4月于中国工程物理研究院电子工程研究所工作，任助理研究员，主要研究方向为碳化硅门极可关断晶闸管(GTO)可靠性研究与失效分析。2020年4月加入昆明理工大学信息工程与自动化学院，主要研究兴趣为太赫兹功能器件、半导体器件可靠性研究。

学习工作经历

（按时间经历倒序）
2008.08-2012.07年本科毕业于西安电子科技大学微电子学院微电子学专业；
2012.09-2017.07年博士研究生毕业于北京大学信息科学与技术学院微电子学与固体电子学专业；
2017.07-2020.04年工作于中国工程物理研究院电子工程研究所；
2020.04至今工作于昆明理工大学信息工程与自动化学院。

代表性成果（每类不超过10个）

（1）获奖情况
（2）教学/科研项目
1、云南省基础研究计划青年项目，SiC GTO固态开关在脉冲功率应用中可靠性的优化设计，在研。
（3）论文
1. Z. Chen,et al. “Study of gamma-ray radiation effects on the passivation properties of atomic layer deposited Al2O3on silicon using deep-level transient spectroscopy”,Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 30(2), 1148-1152, 2019.
2. Z. Chen,et al. “Impact of tungsten oxidation conditions on the performance of Al2O3/WOx-based CBRAM devices”,Microelectronic Engineering, 179, 56, 2017.
3. Z. Chen,et al. “Disturbance characteristics of half-selected cells in cross-point resistive switching memory array”,Nanotechnology, 27, 215204, 2016.
4. Z. Chen,et al. “High performance HfOx/AlOy based resistive switching memory cross-point array fabricated by atomic layer deposition”,Nanosacle Research Letters, 10, 70, 2015.
5. Z. Chen,et al. “Optimized learning scheme for grayscale image recognition in a RRAM based analog neuromorphic system”,IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2015). Oral Report.
6. Z. Chen,et al. “Optimization of uniformity in resistive switching memory by reducing thermal effect”,International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology(ICSICT 2014). Oral Report.
（4）知识产权
（5）专著、教材

主讲课程

数字电子技术基础、模拟电子技术基础、电子技术课程设计。

指导学生竞赛