姓 名

闫翠霞

职 称

副教授


性 别

女

类 别

硕导
出生年月

1977.9

最高学位

博士
电子邮箱

邮箱: yancuixia@qq.com

手机：**
研究方向

1.固体材料中的缺陷、杂质

2.第一性原理计算

3.固体及表面上原子分子过程
教育背景

2003年-2006年：山东大学攻读硕士学位

2006年-2009年：山东大学攻读博士学位
主要

在研项目及

科研成果

承担在研项目：

1.国家自然科学基金：空位缺陷及Ni/Co/Ti掺杂对铜-石墨烯界面结合影响极其机理的第一性原理研究

2.高等学校博士学科点专项科研基金联合资助项目：氢吸附原子与空位缺陷修饰石墨烯n-型导电机理及稳定性研究

3.云南省人才培养项目：一氧化石墨烯半导体材料形成机理及稳定存在的理论研究

科研成果：

A.近五年发表文章

[1]凌自成，闫翠霞*等，球磨时间对石墨烯/铜材料组织和性能的影响，稀有金属材料与工程（已接受）

[2]朱恩福，闫翠霞*等，石墨烯储氢性能的研究进展，材料导报（已接受）

[2] 凌自成，闫翠霞*等，石墨烯增强金属基复合材料的制备方法研究进展，材料导报，7（2015）1

[3] Cuixia Yan*, Study of radiation damage in diamond film implanted by B ion, Applied Mechanics and Materials, 455 (2014) 54.

[4] Cuixia Yan*, Qingwei Jiang, Effects of atmospheric species and vacancy defect on electron transfer between diamond (001) surface and adlayer, European Physical Journal-Applied Physics, 59 (2012) 11303.

[5] Cuixia Yan, Ying Dai*, Baibiao Huang, DFT study of Halogen impurity in diamond, Journal of Physics D: Applied Physics, 42 (2009) 145407.

[6] Cuixia Yan, Ying Dai*, Meng Guo, Baibiao Huang, Donghong Liu, Theoretical characterization of carrier compensation in P-doped diamond, Applied Surface Science, 255 (2009) 3994.

[7] Cuixia Yan, Ying Dai*, Run Long, Hong Jiang, Baibiao Huang, Ruiqin Zhang, Wen Jun Zhang, Igor Bello, Effect of Excess Hydrogen on the Electronic Properties of Passivated Diamond, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 70 (2009) 307.

[8] Cuixia Yan, Ying Dai*, Baibiao Huang, Run Long, Meng Guo, Shallow Donors in Diamond: Be and Mg, Computational Materials Science, 44 (2009) 1286.

[9] Cuixia Yan, Ying Dai, Meng Guo, Lin Yu, Donghong Liu, Baibiao Huang, Ruiqin Zhang, Wenjun Zhang,Igor Bello, Investigation of Low-Resistivity from Hydrogenated Lightly B-doped Diamond by Ion Implantation，Science and Technology of Advanced Materials，9 (2008) 025014.

B.专著：

CuixCC Cuixia Yan，Dai Ying*，Baibiao Huang，Advances in Materials Science Research (Chapter 2 N-type Doping of Diamond Semiconductor ), NOVA Science Publishers, Inc, 10万，2012