姓 名： 陆妩
性 别： 女
职 务：
职 称： 研究员(自然科学)
通讯地址： 乌鲁木齐市北京南路40号附1号
邮政编码： 830011
电子邮件： luwu@ms.xjb.ac.cn


简历：
　　陆妩，女，汉族，九三社员，理学硕士，中国科学院新疆理化技术研究所研究员，博士生导师，新疆大学兼职教授；中国电子学会可靠性分会委员；新疆核学会理事；2011年，芬兰Aalto大学微纳电子科学与技术学院高级访****
主要研究领域以及成就：
　　长期从事微电子器件和模拟电路的总剂量辐射效应、损伤机理、评估方法及抗辐射加固技术的研究，先后主持并承担该领域国家863、国家重点自然科学基金等研究课题30余项；发表学术论文160余篇。其中，被SCI收录33篇，EI收录102篇；曾获得中科院科技进步一、三等奖各1项；新疆维吾尔自治区科技进步一等奖2项，二、三等奖各1项；已培养博士研究生8人，硕士研究生17人。
主要荣誉：
　　曾荣获新疆自治区“优秀硕士论文指导教师”(2013年）、中国科学院“朱李月华优秀教师” (2012年）、九三学社“全国优秀社员”(2012年）、新疆自治区“优秀博士论文指导教师”(2011年）、新疆自治区“优秀硕士论文指导教师”(2010年）、新疆自治区直属机关“巾帼建功标兵”(2009年）等荣誉称号。
代表性文章：
　　１. Li Xiaolong, Lu Wu*, Ma Wuying, et.al, Use of Temperature-Switching Approach to Evaluate the ELDRS, RADECS 2016, in Bremen, Germany
　　2. Xin Wang, Wu Lu* Wu-Ying Ma, et.al, Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure CHIN. PHYS. LETT. 2016,33(8): 086101-1-3
　　3. Mo-Han Liu, Wu Lu*, Wu-Ying Ma, et.al, Total ionizing dose e?ects of domestic SiGe HBTs under di?erent dose rates, Chinese Physics C 2016,40(3): 036003-1-5
　　4. Wu Xue, Lu Wu*, Li Yudong, et.al, TID effect in 12-bit 125 MSPS Pipe-Line Analog-to-Digital Converter. Journal of Senmiconductors. 2014, 35(4):044008-1-5.
　　5.WU Xue, LU Wu* Wang Xin ,et.al, Influence of channel length and layout on TID for 0.18μm NMOS transistors, NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2013,24(6): 060202-1-6
　　6.Deng Wei, Lu Wu* ,Guo Qi, et.al,“An Accelerated Evaluation Method for ELDRS of Bipolar Linear Regulators Using Ladder Temperature Irradiation Experiment”, 2013 IEEE NSS/MIC/RTSD, in Seoul, Korea.
　　7.Zheng Yuzhan Lu Wu* Ren Diyuan, “Accelerated Evaluating the ELDRS of Bipolar Operational Amplifiers by Using Temperature Swithing Approach”,RADECS 2013, in Oxford, UK,
　　8.Wang Xin，Lu Wu*, Guo Qi，et.al，Total ionizing dose effects on 12-bit CBCMOS digital-to-analog converters，Journal of Semiconductors，2013, 34(12):124006-1-7.

研究领域：
物理学类其他专业

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