个人基本情况：
姓名：谭明
性别：男
出生年月：1978年9月
民族：汉族
政治面貌：中共党员
职称：副教授

教育经历：


2009/09-2013/01，北京航空航天大学，获博士学位

从事研究的学科专业领域及主要研究方向：
主要研究方向：
1. 热电能源转换材料和热电器件研究
2. 磁、热功能材料及其应用研究
3. 超硬薄膜功能材料研究

主要工作经历：
2013/01-至今，天津科技大学理学院物理系，讲师
承担《大学物理》、《大学物理实验》等课程的教学工作，年均约500学时。
承担物理部磁性材料、热功能材料实验室的日常维护工作。

主持与叄研的主要科研项目：
1. 2013-2014
天津科技大学自然科学研究基金：纳米线阵列结构碲化铋基热电材料结构调控及输运性能研究，主持，完成，0.5万元
2. 2013-2015
天津市高等学校科技发展基金计划项目：基于特殊结构的高性能热电微型器件的研究，主持，完成，4万元
3. 2015-2018
国家自然科学基金面上项目：纳米线阵列结构碲化铋基热电材料的费米面与界面调控及输运性能研究，主持，在研，77万元
4. 2008-2010
北京市高新计划：高性能热电能源转换纳米材料及热电器件的研制，参加，完成，50万元
5. 2009-2011
科技部863计划：高效热电转换用纳米线阵列材料及其制冷器件的研究，参加，完成，97万元
6. 2010-2013
工信部航天重大项目：卫星主动热控用高效热电制冷器件及原理样机的研制，参加，完成，700万元
7. 2010-2013
国家自然科学基金项目：多铁性铁酸铋低维材料制备及应力调控下物性研究，参加，完成，20万元
8. 2011-2012
北京市高新计划：基于光/热电复合材料的无源温度传感器研发，参加，完成，100万元
9. 2011-2014
国家自然科学基金项目：碲化铋基热电薄膜中特殊晶面及界面可控组装及其热电性能研究，参加，完成，60万元
10. 2012-2014
教育部博士点专项：聚偏氟乙烯基介电复合材料微结构设计和界面修饰研究，参加，完成， 12万元

科研情况简介：
已在国内外专业期刊发表研究论文50余篇，其中为SCI/EI收录40余篇次，为SCI引用100多次。申请中国发明专利4项，授权2项，是国家自然基金项目的评审人，是Chemistry of Materials、Journal of Materials Chemistry C、Nanoscale、Acta Metallurgica Sinica等期刊的审稿人，曾多次被国际会议组委会邀请作报告。

近三年研究文章中的一部分如下：
1. M. Tan^*, Y. Deng, Y. Wang. Ordered structure and high thermoelectric properties of Bi₂(Te,Se)₃ nanowire array, Nano Energy, 3, 144-151, 2014. (SCI 1区，IF=10.33 )
2. M. Tan^*, Y. Deng, Y.M. Hao. Synergistic effect between ordered Bi₂Te_2.7Se_0.3 pillar array and layered Ag electrode for remarkably enhancing thermoelectric device performance, Energy, 77(SI), 591-596, 2014. (SCI 1区，IF=4.84)
3. M. Tan^*, Y. Deng, Y.M. Hao, Improved thermoelectric performance of a film device induced by densely columnar Cu electrode, Energy, 70, 143-148, 2014. (SCI 1区，IF=4.84)
4. M. Tan^*, Y. Deng, Y.M. Hao. Enhanced thermoelectric properties and superlattice structure of Bi₂Te₃/ZrB₂ film prepared by ion-beam-assisted deposition, J. Phys. Chem. C, 117(40), 20415-20420, 2013. (SCI IF=4.77)
5. M. Tan^*, Y. Deng, Y.M. Hao. Enhanced thermoelectric performance of a highly ordered vertical Bi_0.5Sb_1.5Te₃ pillar array device with optimized interconnect, Sci. Adv. Mate., 7, 1076-1082, 2015.

6. M. Tan^*, Y. Deng, Y.M. Hao, Order-induced improvement of the thermoelectric properties in (Bi_0.2Sb_0.8)₂Te₃ column arrays, Sci. Adv. Mate., 6, 1126-1132, 2014.

7. M. Tan^*, Y. Deng, Y.M. Hao, Enhancement of thermoelectric properties induced by oriented nanolayer in Bi₂Te_2.7Se_0.3 columnar films, Mater. Chem. Phys., 146, 153-158, 2014.

8. M. Tan^*, Y.M. Hao, G.Z. Wang, Improvement of thermoelectric properties induced by uniquely ordered lattice field in Bi₂Se_0.5Te_2.5 pillar array, J. Solid State Chem. 215, 219-224, 2014.
9. M. Tan^*, Y.M. Hao, X.B. Ren, Improvement of thermoelectric properties in (Bi_0.5Sb_0.5)₂Te₃ films of nanolayered pillar arrays, J. Electr. Mate., 43, 3098-3104, 2014.
10. M. Tan^*, Y. Deng, Y.M. Hao. Enhanced thermoelectric properties and layered structure of Sb₂Te₃ films induced by special (0 0 l) crystal plane, Chem. Phys. Lett., 584, 159-164, 2013.
11. M. Tan^*, Y. Deng, Y.M. Hao. Multilayered structure and enhanced thermoelectric properties of Bi_1.5Sb_0.5Te₃ film, Phys. Status Solidi A, 210, 2611-2616, 2013.
12. M. Tan, Y. Wang, Y. Deng^*, Z.W. Zhang, B.W. Luo. High performance of thermoelectric micro-device by integrating a layered Bi₂Te₃ film, Thin Solid Films, 548, 526-532, 2013.
13. M. Tan, H.Y. Wang, S. Zhang, J.Y. Yan, L. Dong, M. Cao, D.J. Li^*, Ar⁺ or N⁺ bombardment induced the microstructure and mechanical properties of ZrB₂/W and ZrB₂/WN_x superlattice coatings prepared by IBAD, Surf. Coat. Techno., 228, S563-S567, 2013.
14. M. Tan, Y. Deng^*, Y. Wang. Unique hierarchical structure and high thermoelectric properties of antimony telluride pillar arrays, J. Nanopart. Res., 14, 1204, 2012.
15. M. Tan, Y. Deng^*, Y. Wang. Fabrication of highly (00l)-textured Sb₂Te₃ film and corresponding thermoelectric device with enhanced performance, J. Electr. Mater., 41, 3031-3038, 2012.
16. M. Tan, Y. Deng^*, Y. Wang, Z.W. Zhang, H.M. Liang, J.Y. Yang. Oriented growth of A₂Te₃ (A=Sb,Bi) films and their devices with enhanced thermoelectric performance, Sensors Actu,: A-Phys., 171, 252-259, 2012.

专利：

谭明^*，郝延明，刘建静，原凤英，焦永芳，谢宁，采用磁控溅射-掩模辅助沉积制备Ag纳米线阵列电极的方法，2015年，中国发明专利，2.X.

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