陈涛，男，1984.3出生，汉族，中共党员，职称：副教授
教育经历：
博士：天津大学，电信学院，微电子与固体电子学专业
硕士：天津大学，电信学院，微电子与固体电子学专业
本科：天津大学，电信学院，电子科学与技术专业
工作经历：
2018.03至今，天津科技大学电子信息与自动化学院　副教授
2011.07-2018.03 中国电子科技集团公司第四十六研究所 高级工程师
主要兼职及获奖情况：
1. 天津市“131”人才三层次人选
2. 2015年度，国防科技进步二等奖
3. 《材料导报》期刊审稿人
研究方向：
1. 硅光子器件及系统设计与开发
2. 工业生产自动化系统设计与开发
科研情况:
1. L波段LDMOS器件用硅外延片-主持　　　　　　　　(原总装新品项目)
2. 微波脉冲功率器件用硅外延片-主持　　　　　　　(原总装技术推动项目)
3. 雪崩光电器件用多层结构硅外延片-主持　　　　　(装备发展部支撑项目)
4. 压电陶瓷工艺设备改进设计-主持　　　　　　　　(横向科技项目)
学术成果：
论文：
[1] Chen Tao,Hu Ming, Liang Ji-ran, Lu Jia-ning, Tan Lei，“Study on the preparation of vanadium oxide thin films by the metal-oxygenation method”, Proc. SPIE, Vol. 738117:1~7, 2009年06月，EI检索：883
[2] Tao Chen, Ming Hu, Lei Tan, Liu-Chen Wang, Li Li，“Study on switching performance of VOx thin film in THz band”, Proc. 10th ICSICT-2010: 1560~1562: 2010年11月，EI检索：400
[3] 陈涛，李普生，图布新，李明达，“硅外延生长高频感应系统的热场仿真”，《半导体技术》，2017年，第10期，第42卷，
[4] 陈涛，“基于层流模型的CVD外延流场仿真”，《固体电子学研究与进展》，2017年，第6期，第37卷
[5] 陈涛，胡明，梁继然，后顺保，吕志军，栗力，“氧化钒薄膜太赫兹波段频率特性研究”，《光电子·激光》，2011年，第22卷，第9期
[6] 陈涛，王文林，薛兵，“外延过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响”，《科技风》，2014年，第16期
[7] 陈涛，李明达，李杨，“硅外延片批产测试抽样方式研究”，《科研》，2016年，第1期
[8] 陈涛，李明达，李杨，“CV法测试电阻率的稳定性研究”，《科技创新与应用》，2016年，第1期
专利：
[1] “一种VDMOS器件用薄Sb衬底上制备厚层外延的方法”， 4.3
[2] “一种LDMOS晶体管用硅外延片的制备方法”， 7.7
[3] “一种提高CCD器件用硅外延片的厚度均匀性的方法”， 0.X
[4] “一种6英寸重掺砷衬底上生长高阻厚层硅外延片的方法”， 7.3
[5] “一种改善外延片电阻率和厚度一致性的制备方法”， 4.X
[6] “一种THz波段氧化钒光开关及其制作方法”， 8.6
[7] “金属氧化法制备氧化钒薄膜的方法”， 6.8
联系方式：
通讯地址（邮编）：中国天津市河西区大沽南路1038号天津科技大学电子信息与自动化学院16号楼430室（300222）
E-MAIL：chentao@tust.edu.cn