杨保和简介

姓名杨保和
性别
男
出生年月
1948年11月
学历学位
研究生 博士
职 称教授所属学院
电子信息工程学院是否博硕导博导硕导
联系电话**E_mail
bhyang207@163.com
所属学科080901 物理电子学
080903 微电子学与固体电子学
080300 光学工程研究方向
微波通信器件；高频声表面波器件 薄膜电子器件
人才称号享受政府特殊津贴人员（在职） ；

学术兼职天津大学外聘博导；天津市重点实验室主任；中国绕月探测工程科学应用专家委员会委员；天津市光学学会副理事长；《光电子激光》副主编；《Opto-Electronics Letters》副主编；天津市电子学会常务理事

讲授课程傅立叶光学、电动力学

主要科研项目及代表性成果(包括鉴定项目、论文、专著、获奖、专利等)：

　　 项目：

1. 主持完成国家863项目，“金刚石薄膜压力传感器研究”（编号 863-715-002-0060），1998.02-2001.01；
2. 主持完成国家自然科学基金，“高频LiNbO3/金刚石声表面波滤波器研究”（编号：**），2003.01-2005.12；
3. 主持完成国家自然科学基金，“AlN /Diamond/Si”多层膜声表面波器件制备及其高频特性研究”（编号：**）， 2006.01-2008.12；
4. 主持完成国家自然科学基金，“高频、高Q值、高稳定性SAW谐振器多层膜材料研究” （编号：**）， 2010.01-2012.12
5. 主持完成国家863目标导向类子课题“高频声表面波关键材料与应用研究” （编号：2009AA03Z444），2009.07-2012.06
6. 主持国家863项目子课题“手机前端用射频高性能声表面波滤波器技术” （编号：2013AA030801）， 2013.07-2016.06



论文：

⑴ C.P. Li and B.H Yang﹡. Local Piezoelectricity and Polarity Distribution of Preferred c-Axis-Oriented ZnO Film Investigated by Piezoresponse Force Microscopy. Journal of electronic materials. 2011, 3(40), 253-258. SCI

⑵ C.P. Li, B.H Yang﹡, X.C Wang, F. Wang, M.J. Li, L. Su, X.W. Li. Influence of sputter-etching of substrate on the microstructural and optical properties of ZnO films deposited by RF magnetron sputtering. Applied Surface Science. 2011, 257, 5998-6003. SCI

⑶ Wei Dai, Mingji Li﹡,?, Hongji Li, Baohe Yang﹡，Amperometric biosensor based on nanoporous nickel/boron-dopeddiamond film for electroanalysis of l-alanine，Sensors and Actuators B 201 (2014) 31–36

⑷ C.P. Li, B.H Yang﹡, X. M. Chen, X. G. Wu. Effects of annealing on the characteristics of ZnO films deposited in various O2/(O2+Ar) ratios. Optoelectronics Letters. 2010, 6 (04) 1524-1527.

⑸ C.P. Li, B.H Yang﹡, L.R. Qian, et al. Characterization of sputtered ZnO films under different sputter-etching time of substrate. Optoelectronics Letters， 2011, 7 (06) 0426-0431.

⑹ 钱莉荣，杨保和﹡. ZnO 薄膜/金刚石在不同激励条件下声表面波特性的计算与分析，物理学报，2013，62（11），117701.

⑺ ZHANG Geng-yu, YANG Bao-he*, ZHAO Jian, LI Cui-ping, and LI Ming-ji.Impact of cooling condition on the crystal structure and surface quality of preferred c-axis-oriented AlN films for SAW devices，Optoelectronics Letters，2011，7（4），0273.

⑻ 李展, 杨保和﹡. 正交实验法优化六方氮化硼薄膜的制备工艺，光电子?激光，2010，21（8）.

⑼ 洪松, 杨保和﹡，李明吉, 吴晓国. 喷射CVD 法制备金刚石厚膜及其内应力分析，2010，21（4）.

专著：

1. 杨保和，田乃良，“激光加工技术及应用”天津科技出版社，1999.3 (第一作者).

2.潘峰，杨保和等（合著），“声表面波材料与器件”，2012.05，科学出版社，ISBN：978-7-03-033955-3

获奖：

1. 杨保和，陈希明，常明，熊瑛，“压电晶体/金刚石多层膜声表面滤波器”，教育部技术发明二等奖，奖证编号：2007－145，2007.12.
2. 杨保和，陈希明，吴晓国，“2.5GHz SiO2∕ZnO∕IDT∕金刚石膜声表面波滤波器的研究”，天津市技术发明二等奖，奖证编号：2005FM－2－004，2006.04
3. 常明，杨保和，“金刚石薄膜压力和温度传感器研究”，天津市技术发明二等奖，奖证编号：2003FM-2-003-R2，2004.11

专利：

1. 杨保和，陈希明，多层膜结构SAW器件各层薄膜厚度无损测量方法，发明专利（授权号：ZL**8.6）
2. 杨保和, 熊瑛, 陈希明，适用SAW器件的纳米金刚石膜及制备方法与用途，发明专利（授权号：ZL**1.5）
3. 杨保和等,LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法，发明专利（授权号：ZL**7.X）
4. 杨保和等, IDT/h-BN/c-BN/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法，发明专利（授权号：ZL**04）

5. 杨保和 李晓伟. 适用于金刚石热沉膜片的薄膜沉积系统装置，发明专利（授权号：ZL**4.2）