王广才
性别 : 男 所属部门 : 光电子薄膜器件与技术研究所
职称 : 高级工程师 学历 : 博士
行政职务 : 所学专业 : 半导体物理与半导体器件物理
办公电话 :
邮箱 : wgc2008@nankai.edu.cn
研究方向 : 薄膜光电子材料与器件、太阳能电池、光伏能源器件及材料测试



个人简历 王广才，1987年7月南开大学电子科学系本科毕业，获学士学位，1996年7月南开大学光电子所博士毕业，获博士学位。1998~2005年在香港MOSDESIGN (HK) LTD.访问****。发表论文16篇，主持4项科研项目。研究方向有：硅基薄膜太阳电池的设计、测试和制备技术；锑化铟薄膜霍尔元件的研究、制备和测试；集成电路设计、测试。目前主要从事薄膜光电子材料与器件的研究与测试仪器开发工作。



科研项目/成果/获奖/专利 高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发----2013-01-01到2015-12-31
非晶硅锗在大面积叠层太阳电池中的应用----1994-04-01到1996-04-01
其他纵向项目----1980-01-01到2010-01-01
高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-01-01到2018-12-31
高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-05-22到2019-12-31
高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发----2013-01-01到2015-12-31
非晶硅锗在大面积叠层太阳电池中的应用----1994-04-01到1996-04-01
其他纵向项目----1980-01-01到2010-01-01
高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发----2013-01-01到2015-12-31
非晶硅锗在大面积叠层太阳电池中的应用----1994-04-01到1996-04-01
其他纵向项目----1980-01-01到2010-01-01
高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-01-01到2018-12-31
高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-05-22到2019-12-31
高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发----2013-01-01到2015-12-31
非晶硅锗在大面积叠层太阳电池中的应用----1994-04-01到1996-04-01
其他纵向项目----1980-01-01到2010-01-01
高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-01-01到2018-12-31
高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-05-22到2019-12-31
激活能和光暗电导真空测试及自动控制系统的研制合同----2015-01-05
光伏玻璃减反射膜的研制----2011-09-19
通过外部技术手段改善薄膜太阳能电池转换效率（或寿命）的可行性分析----2009-03-15
其他横向项目----1980-01-01
激活能和光暗电导真空测试及自动控制系统的研制合同----2015-01-05
光伏玻璃减反射膜的研制----2011-09-19
通过外部技术手段改善薄膜太阳能电池转换效率（或寿命）的可行性分析----2009-03-15
其他横向项目----1980-01-01
论文/专著/教材1、非晶硅锗单结电池的研究，《半导体杂志》，第22卷第3期，(1997)，p.1-8
2、高质量非晶硅锗材料的研制，《半导体杂志》，第22卷第2期，(1997)，p.12-15
3、大面积高效率非晶硅基叠层太阳电池的研究，《光电子?激光》，第8卷第6期，（1997）
4、叠层太阳电池的设计，《半导体杂志》，第17卷第1期，(1992) ，p.15-24
5、非晶硅太阳电池本征层的特性研究，《光电子?激光》，第4卷第1期，1993年，p.7-12
6、YAG Laser Annealing Used to Produce Poly-Si Films，Phys. Stat. Sol.(a) 132， (1992)， k75-k80
7、400cm2单结集成型a-Si太阳电池的研制，《太阳能学报》，Vol.13，No.2，1992年，p.203-206
讲授课程1、等离子体物理学（博士）；2、等离子体放电原理与应用（硕士）
3、《气候变化与清洁能源》本科生公共选修课；4、《3D打印》本科生公共选修课
社会兼职