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南开大学电子信息与光学工程学院研究生导师简介-程雅慧

南开大学 免费考研网/2016-02-04




以下按英文字母顺序排列: 姓  名: 程雅慧
性  别: 女
所属部门: 电子科学与工程系
行政职务:
职  称: 副教授
学  历: 博士
所学专业: 物理电子学
办公电话: 主页:http://www.dfc-nfm.com/
电子邮件: chengyahui@nankai.edu.cn
研究方向: 光催化与电光催化;纳米材料合成;有机电子器件;自旋电子材料与器件
个人简介: 1999.9-2003.7:天津大学理学院应用物理专业,学士学位;2003.9-2006.3:天津大学理学院材料物理与化学专业,硕士学位;2007.9-2010.7:南开大学信息学院物理电子学专业,博士学位。2009.5-2009.11:悉尼大学电子显微中心
科研项目、成果、获奖、专利等情况: 研究方向:
1.低维金属、半金属材料和器件的设计、制备与自旋相关性质研究;
2.有机自旋电子器件的制备及性能研究;
3.新型纳米光电材料和环保材料的化学合成、性制及器件应用研究。

科研项目:
主持国家自然科学基金(青年科学基金项目)1项,天津市应用基础与前沿技术研究计划(青年基金项目)1项,央属高校青年教师及海外留学归国人员基金1项。

主要论文:

9. Z. F. Zhang, R. Y. Cao, C. H. Wang, H. B. Li, Hong Dong, W. H. Wang, Feng Lu, Y. H. Cheng, X. J. Xie, Hui Liu, Kyeongjae Cho, Robert Wallace, and W. C. Wang, GaN as an Interfacial Passivation Layer: Tuning Band Offset and Removing Fermi Level Pinning for III-V MOS Devices, ACS Applied Materials & Interfaces, 7, 5141-9 (2015).
8. C. Wang, W. -H. Wang, F. Lu, Y. H. Cheng, L. Ren, W. Wang, and H. Liu, Pure and oxidized Ag substrate infulence on the phase transformation and semiconducting behaviors of layered ZnO: a first-principles study, The Journal of Physical Chemistry C 119, 4891–4897 (2015).
7. H. B. Li, M. Liu, F. Lu, W. Wang, Y. H. Cheng*, S. Song, Y. Zhang, Z. Q. Li, J. He, H. Liu*, X. Du, and R. K. Zheng, Extraordinary Hall effect and universal scaling in Fex(ZnO)1-x granular thin films at room temperature, Applied Physics Letters 106, 012401 (2015).
6. X. B. Cao, W. H. Wang, X. H. Zhang, L. Y. Li, Y. H. Cheng*, H. Liu, S. C. Du, and R. K. Zheng, Magnetic properties of fluffy Fe@α-Fe2O3 core-shell nanowires, Nanoscale Res. Lett. 8, 423 (2013).
5. Y. H. Cheng, X. H. Zhang, L. Y. Li, X. G. Luo, H. Liu, W. H. Wang, and R. K. Zheng, Large coercivity and exchange bias in [Fe1?δ(FeO)δ]x(TiO2)1?x granular films, Appl. Phys. Lett. 102(19), 192403 (2013).
4. Y. H. Cheng, L. Y. Li, W. H. Wang, H. Liu, S. W. Ren, X. Y. Cui, and R. K. Zheng, Tunable electrical and magnetic properties of half-metallic ZnxFe3-xO4 from first principles, Phys. Chem. Chem. Phys., 13(48), 21243 (2011).
3. Y. H. Cheng, L. Y. Li, W. H. Wang, X. G. Luo, H. Liu, and R. K. Zheng, Structural, electrical, and magnetic properties of polycrystalline Fe3-xPtxO4 (0≤x≤0.10) films, J. Appl. Phys., 109(7), 073905 (2011).
2. Y. H. Cheng, H. Liu, H. B. Li, R. K. Zheng, and S. P. Ringer, Annealing effects on the structural, magnetic and electrical properties of the nanocrystalline Fe3O4 films, J. Phys. D: Appl. Phys., 42(21), 215004 (2009).
1. Y. H. Cheng, R. K. Zheng, H. Liu, Y. Tian, and Z. Q. Li, Large extraordinary Hall effect and anomalous scaling relations between the Hall and longitudinal conductivities in epsilon-Fe3N nanocrystalline films, Phys. Rev. B, 80(17), 174412 (2009).

授权专利:
1、发明人:程雅慧,李鲁艳,罗晓光,刘晖,用于霍尔元件的新型薄膜材料,专利号:ZL**2.4,授权公告日:2013.2.22;
2、发明人:刘晖,程雅慧,一种纳米晶氮化铁薄膜材料及其用途,专利号:ZL **8.1,授权公告日:2011.6.15;
3、发明人:刘晖,程雅慧,张晓,李鲁艳,王维华,罗晓光,一种调节多晶Fe3O4薄膜材料电阻率的方法,专利号:ZL**3.6,授权公告日:2010.6.2。

撰写论文、专著、教材等:
讲授课程: 热力学与统计物理
社会兼职:
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