出生日期:1977年12月
籍贯:河南省滑县
性别:男
民族:汉
专业技术职务:副教授
最高学历:博士研究生
工作单位:中国民航大学理学院
通信地址:天津市,中国民航大学南院理学院
邮政编码:300300
电话: (办)
电子邮箱:huiyu_yan@163.com;hyyan@cauc.edu.cn
二、学习和工作经历简介
2002年7月毕业于河南师范大学物理学教育专业,获理学学士学位;
2005年6月毕业于兰州大学凝聚态物理专业,获理学硕士学位;
2017年12月毕业于天津大学材料物理与化学专业,获工学博士学位。
2005年7月参加工作于中国民航大学理学院,于2018年1月被聘为副教授。
三、课程教学(本科、研究生课程)
本科生课程:普通物理,物理实验。
四、学术兼职
●天津市真空学会理事
五、荣誉称号与获奖
●中国民航大学优秀教师;
六、主要研究方向和科研业绩
1)主要研究方向:
●新型半导体材料
●人工神经网络
2)主要科研项目:
[1] 主持完成校级理学项目“Co3O4纳米线阵列的制备及理论研究”(05yk25s)主持人,2005.09-2011.04。
[2] 国家自然科学基金(联合项目):“刚玉型二元复合氧化物的结构与性能的理论研究” (**),第五参加者,2010.01-2012.12。
[3] 国家自然科学基金(民航联合研究基金): “民航陆空通话语义感知与智能校验关键技术研究”(U**),第四参加者,2015.01-2017.12。
[4] 中央高校科研业务费“NiO基电阻开关效应中细丝生长机制的研究” (**K001),主持,总经费5.0万元。2014.04---2016.04.。
[5] 民航总局教育研究项目:六方晶系晶体中原子的有序—无序相变理论研究(No.
七、论著目录
[1] Yanrui Guo, Qinggong Song, and Huiyu Yan*. “The influence of interaction between oxygen vacancies on set process in resistive switching: A case of MgO”. AIP Advances, 2019, 9:055230/1-7.[2] Hui-Yu Yan*, and Zhi-Qing Li, “A study on set process and its influence on performance of resistive switching”. Phys. Status Solidi A, 2017, 214: **/1-6.[3] Hui-Yu Yan*, and Zhi-Qing Li, “Influence of polarity of set voltage on the properties of conductive filaments in NiO based nonvolatile memory device”. Solid-State Electronics, 2017, 129: 120-124.[4] Huiyu Yan*, Yanrui Guo, Qinggong Song, Yifei Chen, Yihua Shi. “Electronic Structure and Magnetic Interactions in Ti-Doped and Ti-V-O-Co-Doped beta-Ga2O3 from First-Principles Calculations”. J. Supercond. Novel. Magn, 2016, 29(10): 2607-2613. [5] Huiyu Yan*, Yanrui Guo, Qinggong Song , Yifei Chen, Songqing Guo. “Electronic Structure and Ferromagnetic Properties of Mg Doped Cubic BN from First-Principles Calculation”. J. Supercond. Novel. Magn, 2015, 28(4):2425-2430. [6] Huiyu Yan*, Yanrui Guo, Qinggong Song , Yifei Chen. “First-principles study on electronic structure and optical properties of Cu-doped β-Ga2O3”. Physica B, 2014, 434 (1) : 181–184. [7] Huiyu Yan*, Yuqi Li, Yanrui Guo, Qinggong Song, Yifei Chen. “Ferromagnetic properties of Cu-doped ZnS: A density functional theory study”. Physica B, 2011, 406 (3) : 545–547.
[8] Yanrui Guo*, Huiyu Yan, Qinggong Song, Yifei Chen, Songqing Guo. “Electronic structure and magnetic interactions in Zn-doped β-Ga2O3 from first-principle calculations”. Computational Materials Science, 2014, 87:198-201.
[9] Yanrui Guo*, Huiyu Yan, Guoying Gao, Qinggong Song. “Half-metallic ferromagnetic property of FeTiS2 based on first principles”. Physica B, 2010, 405 (1): 277–280.