一、个人基本信息
出生日期：1989年11月
籍贯：山西省应县
性别：女
民族：汉
专业技术职务：讲师
最高学历：博士研究生
工作单位：中国民航大学理学院
通信地址：天津市，中国民航大学南院理学院
邮政编码：300300
电话：
电子邮箱：wangsuyuan1989@qq.com
二、学习和工作经历简介
2017/07 – 至今，中国民航大学，理学院，讲师；
2012/09 – 2017/07， 中国科学院半导体研究所，微电子学与固体电子学，博士；
2008/09 – 2012/07， 南开大学，光电子技术科学，学士；
三、课程教学
本科生课程：普通物理，物理实验。
四、主要研究方向和科研业绩
1）主要研究方向：
●光电材料与器件
2）主要科研项目：
[1] 无结型锗锡隧穿场效应晶体管的研究，中央高校基本科研业务费，2018/01至2019/12，主持。
[2] 飞秒激光调控锗锡组分的研究，中央高校基本科研业务费，2020/07至2022/07，主持。
五、论著目录
1）代表性学术论文
[1] S. Wang, Q. Wu, J. Zheng, B. Zhang, S. Huang, Z. Jia, J. Yao, Q. Zhou, L. Yang, J. Xu, B. Cheng, Well-aligned periodic germanium nanoisland arrays with large areas and improved field emission performance induced by femtosecond laser, Applied Surface Science, 508 (2020) 145308.
[2] S. Wang, Q. Wu, J. Zheng, B. Zhang, J. Yao, Q. Zhou, L. Yang, J. Xu, B. Cheng, GeSn/GeSiSn double-heterojunction short channel tunnel field-effect transistor design, Japanese Journal of Applied Physics, 59 (2020) 034001.
[3] S. Wang, J. Zheng, C. Xue, C. Li, Y. Zuo, B. Cheng, Q. Wang, Device simulation of GeSn/GeSiSn pocket n-type tunnel field-effect transistor for analog and RF applications, Superlattices and Microstructures, 111 (2017) 286-292.
[4] S. Wang, J. Zheng, C. Xue, C. Li, Y. Zuo, B. Cheng, Q. Wang, Numerical calculation of strain-N⁺-Ge_1−xSn_x/P⁺-δGe_1−xSn_x/N⁻-Ge_1−y−zSi_ySn_z/P⁺-Ge_1−y−zSi_ySn_z heterojunction tunnel field-effect transistor, Japanese Journal of Applied Physics, 56 (2017) 054001.
[5] S. Wang, J. Zheng, C. Xue, C. Li, Y. Zuo, B. Cheng, Q. Wang, Ni ohmic contacts to n-type Ge_1−x−ySi_xSn_y using phosphorous implant and segregation, AIP Advances, 5 (2015) 127241.

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