栾苏珍：女，西安科技大学高层次引进人才，西安电子科技大学电子科学与技术工学博士，西安电子科技大学雷达信号处理国家重点实验室博士后，通信与信息工程学院副教授，硕士生导师，从事电子技术与采矿安全的交叉学科。主要研究方向为半导体新型材料和器件光电特性、功率MOSFET结构模型和特性研究。在“ACS applied materials & interfaces”、 “Physical chemistry chemical physics”、“RSC advances” 、“Materials Letters”等国际期刊发表SCI论文三十余篇，其中以第一作者在国内外期刊上发表SCI学术论文十几篇。主持国家自然科学基金面上项目和青年项目，省级自然科学基金面上项目，中国博士后基金面上项目，校级科研项目近十项，参与国家自然科学基金重点项目等。
第一作者或通讯作者发表SCI论文（列10项）
1.SuzhenLuan, LinpengDong, Xiaofan Ma, and RenxuJia，The further investigation of N-doped beta-Ga2O3 thin films with native defects for Schottky-barrier diode, Alloys and Compounds, 2020, 812(1):152026. (SCI:070, SCI 1区）
2.Luan, SZ, Dong, LP, Jia, RX. Analysis of the structural, anisotropic elastic and electronic properties of β-Ga₂O₃with various pressures.Journal of crystal growth, 2019，505, 74-81（SCI:014）
3.LuanSuzhen, LiuYintao, Jia Renxu, et.al. Influence of [6,6]-Phenyl-C61-butyric Acid Methyl Ester doping on Au/CH3NH3PbI3/Au metal-semiconductor-metal (MSM) photoelectric detectors. Materials Letters,2018,139-142 (SCI: 035)
4.Suzhen Luan, Yucheng Wang, Yintao Liu，Renxu Jia. Effect of depositing PCBM on perovskite base Metal-Oxide-Semiconductor transistors.Chinese Physics B, 2018, 27 (4): 047208（SCI:008）
5.Jichao Hu,Suzhen Luan*, Renxu Jia, et.al, Effects of growth pressure on point defects in unintentionally doped 4H-SiC epitaxial layers.Optoelectronics and advanced materials-rapid communications，2018,12,86-89（SCI:016）
6.Suzhen Luan, Tiqiang Pang, Yuchang Wang, Renxu Jia.Effect of annealing temperature on the characteristics of Pt/CH3NH3PbI3 contact.Journal of crystal growth,2019,505, 74-81（SCI：003）
7.X.He, S.Z. Luan, L. Wang, R.Y.Wang, P. Du and M.Lei, Facile loading mesoporous Co3O4 on nitrogen doped carbon matrix as an enhanced oxygen electrode catalyst, [J].Materials Letters,2019,244,78-82. (SCI, ESI高被引热点论文）
8.Luan Suzhen, Liu Hongxia.Quantum Compact Model of Drain Current for Thin-Body Double-Gate Schottky Barrier MOSFETs.Chinese PhysicsB, 2008,17(8):3077-3082(SCI: 051)
9.Luan Suzhen, Liu Hongxia, Jia RenXu.Performance investigations of novel dual-material gate (DMG) MOSFET with dielectric pockets (DP).Science in China: Series E, 2009, 52(2):1-6 (SCI:040)
10.Suzhen Luan, Hongxia Liu，Renxu Jia.The dynamic reliability of ultra-thin gate oxide and its breakdown characteristics.ACTA PHYSICA SINICA，2008, 57(4): 2524-2528 (SCI: 087）
近两年授权的专利：
1.贾仁需，庞体强，栾苏珍，张玉明，汪钰成，刘银涛，垂直型光电探测器及其制备方法，发明专利，授权时间2019,08。
2.贾仁需，庞体强，栾苏珍，张玉明，汪钰成，刘银涛，双异质结光探测器及其制备方法，发明专利，授权时间2019,09。
3.贾仁需，庞体强，栾苏珍，张玉明，汪钰成，刘银涛，宽谱响应光电探测器及其制备方法，发明专利，授权时间2019,09。
承担的科研项目：
1.国家自然科学基金面上项目，新型NiO/Ga₂O₃异质结功率MOSFET器件模型和特性研究，2020.01~2023.12，63W，主持。
2.国家自然科学基金青年项目，基于钙钛矿太阳能电池的MOS结构制备及特性研究，2017.01~2019.12，20W，主持。
3.陕西省自然科学基金面上项目，NiO/Ga₂O₃异质结MOS电容模型和电学特性研究，2020.01~2021.12，3W，主持。
4.中国博士后面上基金，太阳能电池中金属/氧化物/PVK材料MOS结构特性研究，2016.05~2018.06，5W，主持。
5.西安科技大学优秀青年基金项目，NiO/Ga2O3异质结MOS器件界面和电学特性研究，2020.01~2022.12,10W，主持。
6.国家自然科学基金重点项目，编程动态自重构三维阵列芯片体系结构关键技术，2019.01~2023.12，290W，主要参与人。
联系方式
邮箱：szluan@xust.edu.cn
招生要求：
保送或报考 硕士研究生，提供如下材料：
1）个人简介；
2） 本科课程成绩单；
3） 竞赛获奖，叙述个人主要贡献；
4） 发表论文的全文；
5） 其他能证明个人能力的材料；
课题组提供出国交流和交换机会，研究方向可偏重理论或工程均可，欢迎加入我们课题组！