所属学科专业：微电子学与固体电子学

导师简介：

高勇，1956年生，男，博导。全国电力电子学会理事、陕西省电子学会理事、国家集成电路设计西安产业化基地专家指导委员会委员、IEEE会员、西安理工大学微电子学与固体电子学博士点学科带头人。多年来一直从事微电子技术领域的教学、科研工作，承担多项国家自然科学基金、国家科技攻关项目以及省、部级项目的研究，1994年以来发表学术论文100余篇，其中被三大检索收录60余篇；获科技进步成果奖10项，其中省、部级5项；出版专著2部。曾被评为机械部跨世纪学科骨干、陕西省“三五”人才。培养研究生83人，其中博士11人。

主要研究方向：电力电子器件与功率集成、新型半导体器件与集成电路设计和超大规模集成电路设计。

主要科研项目：

1.半超结硅锗功率开关二极管的研究，国家自然科学基金，2012-01-01-2015-12-31；
2.阳极注入效率可控的（IEC）GCT新结构及关键技术研究，国家自然科学基金，2009-01-01-2012-04-30；
3.视觉假体视觉信息处理与编码系统的研制，973计划，2010-01-01-2012-12-31
主要科研成果：

1.全数字SPWM三相信号发生专用芯片，西安市科技进步一等奖

2.SiGe半导体异质结理论与新器件结构的研究，2009年度陕西高等学校科学技术一等奖

3.双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs，ZL**4.X

4.门极换流晶闸管GCT的门－阴极结构设计方法，ZL**6.8

5.AnalysisandoptimalDesignofaNovelSiGe/SipowerdiodeforFastandSoftrecovery，ChinesePhysicsLetterSCI：774YC

6.ImprovementofHighTemperatureCharacteristicsforSiGeCp-i-nDiodeswithCarbonIncorporatio，ChinesePhysicsLetters，SCI收录(ISI:**099)

7.国家自然科学基，阳极注入效率可控的（IEC）GCT新结构及其关键技术研究

8.国家十一五攻关子题，新型电力电子器件及电力电子集成技术

9.美国应用材料创新基金（西安），双栅双应变MOSFETs的研究

发表论文：

1、Effectsofpandnpillarwidthsonelectricalchara-cteristicsofsuperjunctionSiGepowerdiodes物理学报2011年，第60卷、第4期基于无源性的变速恒频双馈风力发电机控制系统1电工技术学报2010年，第25卷、第7期
2、Characteristicsofverticaldouble-gatedual-strained-channelMOSFETsJournalofSemiconductors2009年，Vol.30,No.6
3.ImprovementofHighTempe-ratureCharacteristicsforSiGeCp-i-nDiodeswithCarbonIn-corporationChinesePhysicsLetters2008年，Vol.25,No.6
4、ResearchonreverserecoverycharacteristicsofSiGeCp-i-ndiodesChinesePhysicsB2008年，Vol.17,No.12
5.双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs的特性分析半导体学报2008年，Vol.29,No.2
6、ANovelFullyDepletedAirAINSilicon-on-InsulatorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorChinesePhysicsLetters2008年，Vol.25,No.8
7、ANovelMethodfortheInitial-conditionEstimationofaTentMapChinesePhysicsLetters2009年，Vol.26,No.7
8、ASuperJunctionSiGeLow-LossFastSwitchingPowerDiodeChinesePhysicsB2009年，Vol.18,No.1

联系方式：gaoy@xaut.edu.cn电话：**