张国和


研究领域（方向）
半导体器件物理及模型研究
数模混合集成电路设计
视觉信息与图像处理VLSI设计
VLSI可测性设计
类脑计算
个人及工作简历
2017/11-2018/11，美国杜克大学，电子与计算机工程系，访问****
2012/12-至今，西安交通大学，电信学院微电子学院，副教授
2013/2-2013/5，英国利物浦大学，短期交流学习。
2009/10- 2012/10，西安交通大学，能动学院核科学与技术系，博士后
2009/02 – 2012/12，西安交通大学，电信学院微电子学系，讲师
2003/09-2008/12，西安交通大学，电信学院电子科学与技术系，博士
1999/09-2003/07，西安交通大学，电信学院电子科学与技术系，学士
科研项目
1.核高基重大专项分课题：通用工业智能测控终端SoC芯片研发及推广应用——芯片模拟前处理电路技术研发（2017ZX01030-204-002），2017-2019，主持。
2.GF模拟重点实验室基金项目：XXXX器件研究，2018-2019，主持。
3.GF模拟重点实验室基金项目：XXXX A/D转换器结构研究，2017-2018，主持。
4.中国科学院微电子所硅器件技术重点实验室开放基金：纳米尺寸SOI MOSFET器件热生成及导热机理模型研究，2016-2017，主持。
5.北京微电子技术研究所合作项目：XXXX芯片，2016-2017，主持。
6.“核高基”重大专项子课题：XXXXXX，2015-2017，主持。
7.企业横向合作项目：基于深度学习的目标跟踪系统的研发，2015-2017，参与。
8.北京华大九天软件有限公司合作项目：SAR ADC数字校准算法研究，2015-2016，主持。
9.国家自然科学基金青年自然科学基金项目：随机掺杂纳米SOI MOSFETs器件模型研究，2014-2016，主持。
10.国家电网项目：变压器绕组变形在线监测芯片及其应用关键技术研究，2014-2016，参与。
11.国家自然科学基金重大项目，非绑定自组织网络的弱状态路由与后IP寻址，2012-2016，参与。
12.国家自然科学基金面上项目，Si SOI微剂量阵列探测器物理设计关键问题研究，2012-2015，参与。
13.国家自然科学基金面上基金项目：垂直围栅MOSFET 工艺、性能及模型研究，2012.1-2015.12，参与。
14.国家自然科学基金面上基金项目：超深亚微米SOI 器件的重离子单粒子效应新机理研究，项目批准号**， 2012-2015，参与。
15.国家自然科学基金青年基金项目：基于NoC 的同构多核SoC 并发在线测试研究，2011-2013，参与。
16.教育部博士点基金项目：微纳米SOI 器件的重离子位移损伤效应机理研究，2011-2013，参与。
17.西安交通大学学科综合交叉类科研项目：多种辐射机制下微纳米SOI器件效应分析与加固设计，2001-2013，主持。
18.西安交通大学大学自由探索与自主创新类项目：多维相似性测试图形理论及其在纳米电路测试中的应用，2011-2012，主持。
19.“核高基”重大专项子课题：XXXXXX，2009-2012，主持。
20.教育部博士点基金新教师基金项目：非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET I-V模型研究，2010-2012，主持。
学术及科研成果、专利、论文
发表论文
[1] 张国和, 黄凯，张斌, 符欢欢, 赵季中. 最大稳定极值区域与笔画宽度变换的自然场景文本提取方法. 西安交通大学学报， 2017.01.05, 51(1):135-140.
[2] Sufen Wei, Guohe Zhang^*, Huixiang Huang, Jing Liu, Zhibiao Shao, Li Geng, Cheng-Fu Yang, Analytical subthreshold current modleing of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile, Microsystem Technologies, 2016,159(7):9-16.
[3] Sufen Wei, Guohe Zhang^*, Zhibiao Shao, Huixiang Huang, Li Geng, Analytic modeling ofpotential and threshold voltage for short-channel thin-body fully depleted silicon-on-insulator MOSFETs with a vertical Gaussian doping profile，Japanese Journal of Applied Physics, 2016, 55(10): 104201-1-9.
[4] Tian Zhao, Xuan Liu, Guohe Zhang^*, Yali Su, Design of a Programmable and Low-Frequency Filter for Biomedical Signal Sensing Applications，CISP-BMEI 2016，Datong, China. 2016.10.15-2016.10.17.
[5] Peilin Jiang, Fei Wang, Xing Wang, Xuetao Zhang, Ding Ding,Hui Li, Guohe Zhang^*, A Novel Cascading Red Blood Cell Segmentation Method, JOURNAL OF MEDICAL IMAGING AND HEALTH INFORMATICS, 2016, 6(7):1708-1713.
[6] Guohe Zhang，Y Gu，J Li，H Tao, An Improved Model of Self-Heating Effects for Ultra-thin Body SOI NMOSFETs Based on Phonon Scattering Analysis, IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(6):534-536.
[7] Guohe Zhang, Yunlin Zeng, Feng Liang, A novel SEU tolerant SRAM data cell design, IEICE Electronics Express, 12(17), 2015.
[8] Wang Li, Zhang GuoHe^*, Zeng YunLin,A novel SEU tolerant SRAM data cell design, SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 58(11):1983-1988, 2015.
[9] Yuwei Gu, Chengqing Wei, Guohe Zhang, Xuejie Shi, A Fast 3-D TCAD Structure Generation Method for FinFET Devices and Circuits Simulation, China Semiconductor Technology International Conference, March 15, 2015.
[10] 曾云霖，苏亚丽，张国和^*. 一种用于生物医学信号采集的低噪声前置放大器设计，第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会，太原，2014.8.4-8.8. (in Chinese)
[11] 刘晓波，刘沛，刘书焕，张国和^*. 一种应用于粒子探测器的低噪声模拟前端电路设计，第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会，太原，2014.8.4-8.8.
[12] 张国和，冀丽丽，张林林，雷绍充，梁峰，一种低功耗测试图形生成方法， 西安交通大学学报，47（2），47-52，2013.
[13] 张国和，郑雪，陈克斌. 基于粒子群优化算法的BSIM SOI模型参数提取，微电子学与计算机，30（1），90-94，2013.
[14] Guohe Zhang, Kebin Chen, Xue Zheng, Feng Liang, Zunchao Li, A Subthreshold Swing Model for Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal– Oxide–Semiconductor Field Effect Transistors with Vertical Gaussian Profile， Japanese Journal of Applied Physics, 2013, 52(1), 014301:1-5.
[15] Feng Liang， Luwen Zhang， Shaochong Lei， Guohe Zhang*， Kaile Gao， Bin Liang，Test Patterns of Multiple SIC Vectors: Theory and Application in BIST Schemes，IEEE Transactions on very Large Scale Integradion (VLSI) Systems, 2013, 21(4):614-623.
[16] Tang Du，Li YongHong，Zhang GuoHe，He ChaoHui，Fan YunYun，Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM，SCIENCE CHINA Technological Sciences, 56(3), 780-785,2013.
[17] Ma Rong, Zhang Yulong, Zhang Guohe. On a Kind of Dirichlet Character Sums, Abstract and Applied Analysis, 750964:1-8, 2013.
[18] Guohe Zhang，Kebin Chen，Feng Liang， A Subthreshold Current Model of Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistors with Vertical Gaussian Profile，Japanese Journal of Applied Physics，51(2), 024301:1-5, 2012.
[19] Guohe Zhang， Huibin Tao， Jun Shao， Shaochong Lei， Feng Liang，Low-power programmable linear-phase filter designed for fully balanced bio-signal recording application，IEICE Electronics Express，9(17)，1402-1407，2012.
[20] Guohe Zhang， Jun Shao， Feng Liang， Dongxuan Bao，A novel Single Event Upset hardened CMOS SRAM cell， IEICE Electronics Express， 9（3），140-145，2012.
[21] Guohe Zhang, Jun Shao, Xiao Xiao, Xiaoying Wang, Low-Power Programmable Linear-Phase Filter for Fully Balanced Bio-Signal Recording，The 2th International Conference on Electronics, Communication and Control, 2012.10.16-20, Zhoushan.
[22] 张国和，邵隽，陈婷. 正背栅SOI-MOSFET二维阈值电压解析模型，世界科技研究与发展，34(1)，29-34，2012.
[23] 胡志良，贺朝会，张国和，郭达禧，超深亚微米SOI NMOSFET中子辐照效应数值模拟，原子能科学技术，45（4），456-460，2011.
[24] 肖筱，张国和^*，SOI MOSFET中子辐射效应模拟研究，第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术会议， 258-263页，三亚，2011.11.17-19，大会报告.
[25] 李尊朝，尤一龙，张国和，张莉丽，崔吾元. 垂直硅纳米线工艺研究，第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议，141-144页，三亚，2011.11.18-20,大会报告.
[26] Xue Zheng，Guohe Zhang，Kebin Chen， A Parameter Extraction Method Based on Particle Swarm Optimization，International Semiconductor Device Research Symposium, **, 1-2, Maryland, USA, 2011.12.07-09.
[27] Guohe Zhang，Shaochong Lei， Feng Liang*，Mamoru Tanaka， Basnet Ganesh Kumar，Design of Four-wave Oscillating Cellular-Neural-Network，IEICE Electronics Express，8（12)，944-949，2011.
[28] Zhang GH, Shao ZB, Zhou K. Threshold voltage model of short-channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile. IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55(3): 803-809.
[29] Zhang GH, Wang B, Liang F, Shao ZB. A Low-Kickback-Noise and Low-voltage Latched comparator for high-speed Folding and Interpolating ADC. IEICE Electronics Express, 5(22): 943-948.
[30] Zhang GH, Shao ZB, Hu ZG. A Novel Capacitor-less 2-T SOI DRAM Cell. International Semiconductor Device Research Symposium, 2007:56-57.
[31] Qi Y, Zhang GH, Shao ZB, Wang B. A low kick back noise latched comparator for high speed folding and interpolating ADC. 9th IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems, December 2008:272-275.
[32] Zhang GH, Shao ZB, Zhou K, A Compact Model for Overlapped LDD FD SOI MOSFETS. International Semiconductor Device Research Symposium, 2007: 136-137.
[33] Zhang GH, Shao ZB, Zhou K. Threshold Voltage Model for a Fully Depleted SOI-MOSFET with a Non-uniform Profile. Chinese Journal of Semiconductors,2007, 28(6):842-847.
[34] Zhang GH, Shao ZB, Han B, et al. Study of a Novel Fully-Depleted Dual-Gate MOSFET. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(9):1359-1363.
专著
[1] 雷绍充，梁峰，张鸿，张国和，SOC测试，西安交通大学出版社，2011.
专利授权与申请
[1] 雷绍充, 张国和, 曹磊, 王震, 梁峰, 刘泽叶，集成电路测试数据的压缩生成方法，中国，ZL2.8.
[2] 雷绍充, 王震, 张国和, 刘泽叶，一种集成电路的低功耗二维测试图形生产器，中国，ZL0.6.
[3] 包东烜, 邵志标, 张国和, 姚剑峰，一种抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的半动态触发器. 中国，ZL4.0.
[4] 张国和，姚思远，李剑雄，赵晨，顾亦熹，一种新型的抗单粒子翻转SRAM存储单元.中国，ZL1.7.
[5] 张国和,李剑雄,赵晨,姚思远,顾亦熹. 一种抗单粒子翻转的敏感放大器.中国，ZL9.6.
[6] 张国和,曾云霖,段国栋.一种高写入速度低静态功耗抗单粒子翻转的SRAM单元，中国，ZL5.2.
[7] 段国栋，赵晨，王飞，梅魁志，张国和，张斌. 一种连通量统计信息提取方法及VLSI结构，中国，ZL4.2。
[8] 张国和,曾云霖,段国栋. 一种抗单粒子翻转的SR锁存器，专利申请号：CN0.1.
[9] 张国和,曾云霖. 一种抗单粒子翻转的静态随机存储单元, 专利申请号：CN7.
[10] 张国和,曾云霖,顾郁炜,陈云. 一种两步转换逐次逼近型模数转换电路结构, 专利申请号：CN9.2.
[11] 韦素芬,黄辉祥,张国和,邵志标,耿莉. 一种体接电位PD-SOI MOSFET二维阈值电压解析模型及其建立方法和阈值电压计算方法, 专利申请号：CN6.9.
[12] 张国和,顾郁炜,王金磊,闵瑞清,雷绍充. 一种提高ADC采样精度的电路结构及方法, 专利申请号：CN4.0.
[13] 张国和,陈云,王丽,段国栋. 一种具有低延时功耗积的抗单粒子翻转的锁存器, 专利申请号：CN5.X.
[14] 常文治,顾郁炜,毕建刚,王金磊,闵瑞清,邓彦国,吴立远,张国和,雷绍充. 一种新型12位平方运算组合电路, 专利申请号：CN3.1.
[15] 毕建刚,王金磊,常文治,顾郁炜,闵瑞清,袁帅,邓彦国,张国和,雷绍充. 一种快速开方集成电路, 专利申请号：CN6.5.
[16] 常文治,王金磊,毕建刚,顾郁炜,闵瑞清,杨宁,是艳杰,张国和,雷绍充. 一种优先权判断电路, 专利申请号：CN5.X.
联系方式
电子邮箱：zhangguohe@xjtu.edu.cn

联系电话：
个人主页： zhangguohe.gr.xjtu.edu.cn
联系地址：西安市碑林区咸宁西路28号

更新日期：2017-12-08