基本信息
吕玲
副教授
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：微电子学与固体电子学　
工作单位：微电子学院


个人简介
山西省孝义人，出生1984.4
2001.9-2005.7 本科 西安电子科技大学 技术物理学院 电子科学与技术专业
2005.8-2008.4 硕士 西安电子科技大学 微电子学院 微电子学与固体电子学专业
2009.8-2014.3 博士 西安电子科技大学 微电子学院 微电子学与固体电子学专业
2014.5-2019.6 讲师 西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院
2019.7-至今副教授 西安电子科技大学 微电子学院

主要研究方向
1．宽禁带半导体器件工艺
2．宽禁带半导体材料表征
3．宽禁带半导体材料与器件辐照效应研究

联系方式
通信地址：西安电子科技大学395信箱
电子邮箱：llv@xidian.edu.cn
办公地点：西安电子科技大学北校区东大楼219A

---

基本信息
吕玲
副教授
博士学科：微电子学与固体电子学
硕士学科：微电子学与固体电子学　
工作单位：微电子学院


个人简介
山西省孝义人，出生1984.4
2001.9-2005.7 本科 西安电子科技大学 技术物理学院 电子科学与技术专业
2005.8-2008.4 硕士 西安电子科技大学 微电子学院 微电子学与固体电子学专业
2009.8-2014.3 博士 西安电子科技大学 微电子学院 微电子学与固体电子学专业
2014.5-2019.6 讲师 西安电子科技大学 先进材料与纳米科技学院
2019.7-至今副教授 西安电子科技大学 微电子学院

主要研究方向
1．宽禁带半导体器件工艺
2．宽禁带半导体材料表征
3．宽禁带半导体材料与器件辐照效应研究

联系方式
通信地址：西安电子科技大学395信箱
电子邮箱：llv@xidian.edu.cn
办公地点：西安电子科技大学北校区东大楼219A

---

科学研究
目前研究团队承担的科研项目：
1. 国家自然科学基金青年项目，2016.1-2018.12，在研，主持。
2.陕西省自然科学基础研究计划项目，2018.1-2019.12，在研，主持。
3.强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题，2018.1-2019.12，在研，主持。
4. 国家自然科学基金重点项目，2015.1-2019.12，在研，参与。
5. 国家自然科学基金重大项目课题，2017.1-2021.12，在研，参与。
6.*科研项目*，2018.1-2021.12，在研，参与。
7.国防基础科研核科学挑战专题，2018.1-2021.12，在研，参与。
8. 中央高校基础科研项目，2014.6-2015.6，结题，主持。
9. 中央高校基础科研项目，2015.6-2017.6，结题，主持。
10. 国家预先研究项目，2011.1-2015.12，结题，参与。

---

学术论文
一、期刊论文
[1] Ling Lv, Xiaoyao Yan, Yanrong Cao, Qing Zhu, Ling Yang, Xiaowei Zhou, Xiaohua Ma,Yue Hao, Significant Degradation of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors with Fast and Thermal Neutron Irradiation, IEEE Transactions on Nuclear Science，2019, Vol.66, No.6, pp:886.
[2] Ling Lv, Peixian Li, XiaoHua Ma, LinYue Liu, Ling Yang, Xiaowei Zhou, Jincheng Zhang, Yanrong Cao, Zhen Bi, Teng Jiang, Qing Zhu, Yue Hao, Fast and Thermal Neutron Radiation Effects on GaN PIN Diodes,IEEE Transactions on Nuclear Science, 2017, Vol.64, No.1, pp:643.
[3] Ling Lv, Xiaohua Ma, Jincheng Zhang, Zhen Bi, Linyue Liu, Hengsheng Shan, and Yue Hao, Proton Irradiation Effects on AlGaN/ AlN/GaN heterojunctions, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2015, Vol.62, No.1, pp:300.
[4] Ling Lv, Xiaohua Ma, He Xi, Linyue Liu, Yanrong Cao, Jincheng Zhang, Hengsheng Shan, and Yue Hao,Theoretical analysis of proton irradiation effects on AlGaN/GaN high-electron-mobility ransistors,Journal of Vacuum Science & Technology B, 2015, Vol.33, pp:051212.
[5] Ling Lv, J.G. Ma,Y.R. Cao,J.C.Zhang, W.Zhang,L. Li,S.R. Xu,X. H. Ma,X. T. Ren, and Y.Hao, Study of proton irradiation effects on AlGaN/GaN high electron mobility transistors. Microelectronics Reliability, 2011,Vol.51, No.12, pp:2168.
[6] LuLing,Zhang Jin-Cheng,Xue Jun-Shuai, Ma Xiao-Hua,ZhangWei, BiZhi-Wei,Zhang Yue, and Hao Yue, Neutron irradiation effects on AlGaN/GaNhigh electron mobility transistors,ChinesePhysics B, 2012, Vol.21, No.3, pp: 037104.
[7] Lu Ling,Zhang Jin-Cheng, MaXiao-Hua, Cao Yan-Rong, and Hao Yue,Effects of 3MeVprotonirradiation on AlGaN/GaNhigh electron mobility transistors, ActaPhysicaSinica, 2012, Vol.61, No.5, pp: 057202.
[8]LuLing, HaoYue,Zhang JinCheng, Xu ShengRui, AiShan, andMeng FanNa, Proton irradiation effects on HVPEGaN,Science in China, Ser E, 2012,Vol. 55, No.9, pp: 2432.
[9]吕玲， 林志宇， 张进成，马晓华，郝跃，GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究，空间电子技术，2013， Vol.3, pp:33.
[10] LuLing, Gong Xin, and HaoYue, Properties of p-type GaNetched by inductively coupled plasma and their improvement. Acta Physica Sinica, 2008, Vol. 57, No. 2,pp: 1128.
[11] Hengsheng Shan, Ling Lv, Xiaoya Li, Shufang Ma, Bingshe Xu, Jincheng Zhang, Shengrui Xu, Chuangyang Liu, Xingrong Ren, and LinjuanGuo, Proton radiation effect on InGaN/GaN multiple quantum wells solar cell, ESC Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7(12), P740-744.
[12] Ling Yang, Xiao-Wei Zhou, Xiao-Hua Ma, Ling Lv, Yan-Rong Cao, Jin-Cheng Zhang, and Yue Hao, Low power fluorine plasma effects on electrical reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistor, Chinese Physics B, 2017, 26(1),017304-5.
[13] Gong Xin, Lu Ling,Hao Yue, Li Peixian,ZhouXiaowei, and Chen Haifeng, Study on ICPectching induced damage in p-GaN,Chinese Journal of Semiconductors, 2007,Vol. 28, No.7, pp: 1097.
[14] Zhen Bi, Jincheng Zhang, Ling Lv, and Yue Hao, The effect of 3-MeV proton irradiation on the performance of InGaN/GaN MQWs solar cells, IEEE Photonics Technology Letters, 2014, vol. 26, no. 15, pp: 1492.
[15] Zhen Bi, Jincheng Zhang, Qiye Zheng, Ling Lv, Zhiyu Lin, Hengsheng Shan, Peixian Li, Xiaohua Ma, Yiping Han and Yue Hao, An InGaN-based solar cell including dual InGaN/GaN multiple quantum wells, IEEE Photonics Technology Letters, 2016, 28(20), 2117.
[16] BiZhiwei, FengQian, Zhang Jincheng, Lu Ling,Mao Wei, Gu Wenping,MaXiaoHua, and Hao Yue,Theeffects of proton irradiation on the electrical properties ofNbAlO/AlGaN/GaNMIS-HEMT, Science China- Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(1), 40-43.
[17] Lin Zhi-Yu, Zhang Jin-Cheng, Xu ShengRui, Lv Ling, Liu Zi-Yang, Ma Jun-Cai, Xue Xiao-Yong, Xue Jun-Shuai, and Hao Yue, TEM study of GaN films on vicinal sapphire(0001) substrates by MOCVD, Acta Physca Sinica, 2012, 61(18), 186103.
[18] Zhang Wei, Zhang Yue, Xue JunShuai, Zhang Ying, Lv Ling, Zhang JinCheng and Hao Yue, Interaction between Si-doping and polarization induced internal electric field in AlGaN/GaN superlattice, Applied Physics Letters, 2011, Vol.99, No.16, pp:162105-3.
[19] Zhou Xiao-Wei, Xu Sheng-Rui, Zhang Jin-Cheng, Dang Ji -Yuan, Lu Ling, Hao Yue, Guo Li-Xin, Luminescence of a GaN grain with a nonpolar and semipolar plane in relation to microstructural characterization, Chinese Physics B, 2012, Vol.21, No.6, pp:067803-5.
[20] Li Liang, Yang Lin-An, Zhang Jin-Cheng, Xue Jun-Shuai, Xu Sheng-Rui, Lv Ling, Hao Yue and Niu Mu-Tong, Threading dislocation reduction in transit region of GaN terahertz gunn diodes, Applied Physics Letters, 2012, Vol.100, No.7, pp: 072104-4.
[21] Bi ZhiWei, Hao Yue, Feng Qian, Jiang TingTing, Cao YanRong, Zhang JinCheng, Mao Wei, Lü Ling and Zhang Yue, The passiavation mechanism of nitrogen ions on the leakage current of HfO2/AlGaN/GaN MOS-HEMTs, Science China – Physics, Mechanics & Astronomy, 2011, Vol.54, No.12, pp:2170.
[22] Xu Sheng-Rui, Hao Yue, Zhang Jin-Cheng, Xue Xiao-Yong, Li Pei-Xian, Li Jian-Ting, Lin Zhi-Yu, Liu Zi-Yang, Ma Jun-Cai, He Qiang and Lü Ling, Stress and morphology of a nonpolar a-plane GaN la[ant]yer on r-plane sapphire substrate, Chinese Physics B, 2011, Vol.20, No.10, pp:107802-5.
二、会议论文
[1] Zhengzhao Lin, Xiaoyao Yan, Ling Lv*, Yanrong Cao, and Xiaohua Ma, 60Co gamma radiation effects on AlGaN/GaN high electron mobility transistors, 3rd International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices, China, Chongqing, 2019. 5.29-31.
[2] Ling Lv, Xiaoyao Yan, Yanrong Cao, Xiaohua Ma, and Yue Hao, Significant Degradation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Thermal Neutron Irradiation, RADECS Workshop 2018 and the 2nd Intenational Conference on Radiation Effects of Electronic Devices, 中国，北京，2018.5.16-18.
[3] Ling Lv, He Xi, Yanrong Cao, Xiaohua Ma and Yue Hao, Neutron Radiation Effects on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors，2017 International Workshop On Reliability of Micro- and Nano-Electronic Devices in Harsh Environment (IWRMN-EDHE ), Chengdu, 5.22-24.

---

荣誉获奖
点击网页顶部“添加栏目”可以添加其他栏目
把鼠标放在栏目标题处，尝试拖动栏目。

---

课程教学
目前本人承担的教学任务：
本科生课程：《场论与复变函数》
研究生课程：《氮化物宽禁带半导体材料与器件》

---

Profile
Name Title
Department:

Contact Information
Address:
Email:
Tel:


Introduction
Put brief introduction of yourself here


Research Interests
1．
2.
3．
4．
5．

---

Research
目前研究团队承担的科研项目：

---

Papers
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7];
[8]
[9]

---

Honors
点击网页顶部“添加栏目”可以添加其他栏目
把鼠标放在栏目标题处，尝试拖动栏目。

---

Team
团队教师




博士研究生
硕士研究生

---

Teaching
目前本人承担的教学任务：

课件下载 示例

---

Admission
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
关于研究生招生的信息：
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~